Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Распределение кремния по подрешеткам в полупроводниковых соединениях A₃B₅

Пономарев К.В.¹, Коржавый П.А.¹, Векилов Ю.Х.¹

¹Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия National University of Science and Technology "MISiS", Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 19 апреля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе анализа энергии растворения кремния, энергий образования собственных дефектов и энергий реакций взаимодействия, полученных путем расчета полной энергии неупорядоченных соединений, определено стабильное положение примеси замещения Si в GaAs и AlAs при T=0 K. Проведенные расчеты свидетельствуют о влиянии на распределение Si амфотерности и наличия вакансий. При низких концентрациях, Si располагается в GaAs на подрешетке элемента III группы, а в AlAs - на подрешетке элемента V группы.

B.K. Meyer, J.M. Spaeth, M. Scheffler. Phys. Rev. Lett. 52, 10, 851 (1984); G.W. Ludwig. Phys. Rev. 137, 5A, 1520 (1965)
G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. Lett. 55, 12, 1327 (1985)
Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Мир, М. (1985)
В.И. Фистуль. Амфотерные примеси в полупроводниках. Металлургия, М. (1992)
Ю.Х. Векилов, О.И. Горбатов, М.Ю. Лашкевич, А.В. Рубан. ФТТ 36, 2, 301 (1994)
J.E. Northrup, S.B. Zhang. Phys. Rev. B47, 11, 6791 (1993)
N.E. Christensen. Phys. Rev. B32, 1, 207 (1985)
O. Gunnarsson, O. Jepsen, O.K. Andersen. Phys. Rev. B27, 12, 7144 (1983)
A.V. Ruban, J.A. Abrikosov, H.L. Skriver. Phys. Rev. B51, 19, 12958 (1995)
J. Perdew, A. Zunger. Phys. Rev. B23, 10, 5048 (1981).
P.A. Korzhavyi, A.V. Rudan, J.A. Abrikosov, H.L. Skriver. Phys. Rev. B51, 9, 5773 (1995)
G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B30, 4, 3460 (1984).
А.В. Рубан. Частное сообщение
R.C. Newman. Semicond. Sci. Technol. 9, 10, 1749 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель