Геминальная рекомбинация долгоживущих электрон-дырочных пар в допированных карбазолсодержащих аморфных молекулярных полупроводниках
Кадащук А.К.1, Остапенко Н.И.1, Давиденко Н.А.1, Кувшинский Н.Г.1, Лукашенко Н.В.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 января 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
С помощью измерений кинетик затухания изотермической рекомбинационной люминесценции (ИРЛ) в широком интервале температур (4.2-300 K) при временах t>1 s, а также кинетик фотоиндуцированного сигнала ЭПР исследованы особенности геминальной рекомбинации долгоживущих электрон-дырочных пар в пленках поли(N-эпоксипропилкарбазола) (ПЭПК), содержащих соединения с внутримолекулярным переносом заряда (СВПЗ) в качестве центров фотогенерации носителей заряда. Изучено влияние на геминальную рекомбинацию наличия потенциального барьера на обратный переход носителей в центр рекомбинации и начального триплетного состояния зарядовых пар. Установлено, что кинетики затухания ИРЛ для исследованных времен соответствуют закону I(t)~ t-m, где m принимает значения от 0.65 до 1.05. Впервые обнаружено немонотонное изменение m с температурой (m проходит через минимум при некоторой температуре), для объяснения которого предложен механизм рекомбинации зарядовых пар в ПЭПК, содержащих СВПЗ.
- М. Поуп, Ч. Свенберг. Электронные процессы в органических кристаллах. Мир, М. (1985). Т. 2. 262 с
- J. Mort, M. Morgan, S. Grammatica, J. Noolandi, K.M. Hong. Phys. Rev. Lett. 48, 20, 1411 (1982)
- S. Stolzenburg, B. Ries, H. Bassler. Ber. Bunsenges. Phys. Chem. 91, 8, 853 (1987)
- S. Stolzenburg, B. Ries, H. Bassler. Mater. Sci. 13, 1--2, 259 (1987)
- S. Stolzenburg, B. Ries, H. Bassler. Chem. Phys. Lett. 116, 1, 73 (1985)
- X. Guo, G.D. Mendenhall. Chem. Phys. Lett. 152, 2, 3 146 (1988)
- H. Bassler, G. Schonherr, M. Abkowitz, D.M. Pai. Phys. Rev. B26, 6, 3105 (1982)
- K.M. Hong, J. Noolandi. J. Chem. Phys. 68, 11, 5163 (1978)
- Н.Г. Кувшинский, Н.А. Давиденко, В.М. Комко. Физика аморфных молекулярных полупроводников. Лыбидь, Киев (1994). 176 с
- N.A. Davidenko, N.G. Kuvshinsky. J. Inf. Rec. Mat. 22, 1, 37 (1994)
- N.A. Davidenko, N.G. Kuvshinsky. J. Inf. Rec. Mat. 21, 3, 185 (1993)
- К.И. Замараев, Р.Ф. Хайрутдинов, В.П. Жданов. Туннелирование электрона в химии. Наука, Новосибирск (1985). 317с.
- P.I. Butlers, I. Tale, J. Pospisil, S. Nespurek. Prog. Colloid Polym. Sci. 78, 1--2, 93 (1988)
- А.К. Кадащук, Н.И. Остапенко, Ю.А. Скрышевский, Е.Н. Великая, М.Т. Шпак. ФТТ 31, 7, 203 (1989)
- А.К. Кадащук, Н.И. Остапенко, Ю.А. Скрышевский, М.Т. Шпак, Э.А. Силиньш, Г.А. Шлихта. ФТТ 32, 5, 1312 (1990)
- А.М. Белоножко, Н.А. Давиденко, О.Г. Кочмала, В.А. Павлов. Фундаментальные основы оптической памяти и среды. Киев (1990). Т. 21. С. 40
- Н.Г. Кувшинский, Н.Г. Чуприн, В.К. Перепелица. УФЖ 28, 6, 943 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.