Методы двух- и трехкристального дифрактометров были использованы для исследования структурного совершенства эпитаксиальной системы Ga_1-xIn_xSb_1-yAs_y-GaSb (x=0.9, y=0.8) с толщиной пленки около 1 mum. Показано, что рассеяние от образцов этой системы может быть разделено на когерентное и диффузное. Расположение узлов обратной решетки пленки и подложки на двумерном распределении интенсивности для асимметричных отражений показывает отсутствие релаксации упругих напряжений. Сетки дислокаций не образуется, а диффузное рассеяние обусловлено дефектами кулоновского типа. Из локализации диффузной интенсивности в обратном пространстве следует, что эти дефекты находятся в эпитаксиальной пленке. Для асимметричных отражений выявлен аномальный характер распределения диффузного рассеяния, вытянутого в направлении, параллельном поверхности, и расщепленного на два максимума. Предложены и реализованы схемы измерения интегрального распределения интенсивности дифракции вдоль поверхности и по нормали к ней и показаны ее возможности для изучения диффузного рассеяния от дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.