Влияние малых добавок Ge на сверхпроводящий переход в PbTe : Tl
Немов С.А.1, Парфеньев Р.В.2, Житинская М.К.1, Шамшур Д.В.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
В PbTe : 2 at.% Tl исследовано влияние малых добавок германия (порядка сотых-десятых долей at.%) на параметры сверхпроводящего перехода l(критическую температуру Tc, второе критическое магнитное поле Hc2 и l|(dHc2)/(dT)r|T-> Tcr), определенные из зависимости электросопротивления образцов от температуры (0.4-4.2 K) и напряженности магнитного поля (0-1.3 T). Обнаруженная особенность в экспериментальных данных связывается с появлением структурного фазового перехода при введении Ge.
- G. Bauer. Lect. Not. Phys. 117, 259 (1983)
- D.K. Hohnke, H. Holloway, S. Kaiser. J. Phys. Chem. Sol. 33, 2053 (1972)
- И.А. Черник, С.Н. Лыков. Письма в ЖТФ 7, 94 (1981)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. Письма в ЖЭТФ 35, 517 (1982)
- И.А. Черник, С.Н. Лыков, Н.И. Гречко. ФТТ 24, 10, 2931 (1982)
- Н.А. Ерасова, С.Н. Лыков, И.А. Черник. ФТТ 25, 1, 269 (1983)
- М.К. Житинская, В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ 31, 4, 268 (1989)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ 29, 6, 1886 (1987)
- H. Murakami, W. Hattori, Y. Mizomata, R. Aoki. Proc. 21 Int. Conf. on Low Temperature Physics. Prague, Czech Republic (1996). Pt S2. P. 765
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.