Влияние рассеяния фононов на нейтральных и заряженных примесных центрах на теплопроводность решетки в PbTe: (Tl,Na)
Житинская М.К.1, Немов С.А.1, Равич Ю.И.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
Получены экспериментальные данные по влиянию примесей таллия и натрия на теплопроводность решетки PbTe при комнатной температуре. Поскольку поляризация кристаллической решетки халькогенидов свинца вблизи заряженных примесей велика, влияние примесей на решеточную теплопроводность существенно зависит от их зарядового состояния. Это свойство исследуемого материала использовано для определения зарядового состояния примеси таллия в PbTe. Полученные результаты свидетельствуют в пользу модели квазилокальных примесных состояний таллия, предполагающей небольшую величину энергии корреляции электронов на примесном центре.
- В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН 145, 51 (1985)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП 26, 2, 201 (1992)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, А.М. Зайцев. ФТП 19, 2, 268 (1985)
- И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес. ФТП 15, 4, 625 (1981)
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. Наука, М. (1968)
- М.К. Житинская, В.И. Кайданов, С.А. Немов, А.Б. Нуромский. ФТТ 33, 5, 1597 (1991)
- Е.Д. Девяткова, И.А. Смирнов. ФТТ 3, 8, 2298 (1961)
- И.А. Смирнов, М.Н. Виноградова, Н.В. Коломоец, Л.М. Сысоева. ФТТ 9, 9, 2638 (1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук