Линейные коэффициенты фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами с наклонным дном в области экситонных резонансов
Аюханов Р.А.1, Шкердин Г.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 24 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Получено аналитическое выражение для линейных коэффициентов фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами (MQWS) с наклонным дном в области основного экситонного резонанса. Вычислены коэффициенты фотоупругости в сверхрешетке GaAs/Al0.28Ga0.72As на длинноволновом краю резонанса основного экситонного состояния. Показано, что эти коэффициенты для MQWS с наклоном дна, возникающим в варизонной квантовой яме, больше, а для наклона дна, задаваемого постоянным электрическим полем, приложенным к MQWS, меньше тех же величин в случае сверхрешетки с прямоугольной квантовой ямой. Для пьезоэлектрических сверхрешеток вычислена величина стимулированного наклоном дна квантовой ямы линейного вклада пьезополя в коэффициент фотоупругости и проведено его сравнение с вкладом, вносимым потенциалом деформации.
- Р.А. Аюханов, Г.Н. Шкердин. ФТТ 35, 7, 1916 (1993)
- D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, T.H. Wood, C.A. Burrus. Phys. Rev. Lett. 53, 22, 2173 (1984)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Наука, М. (1963). 702 с
- Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. Варизонные полупроводники. Выща шк., Киев (1989). 250 с
- R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry. Phys. Rev. Lett. 33, 14, 827 (1974)
- G. Bastard, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B28, 6, 3241 (1983)
- J.A. Brum, G. Bastard. Phys. Rev. B31, 6, 3893 (1985)
- Арсенид галлия. Получение, свойства и применение / Под ред. Ф.П. Кесаманлы и Д.Н. Наследова. Наука, М. (1973). 471 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук