Вышедшие номера
Эффективность генерации рентгеновского Si L2,3 излучения электронным ударом в системе SiO2/Si
Шулаков А.С.1, Брайко А.П.1, Мороз Н.В.1, Фомичев В.А.1
1Институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Петродворец, Россия
Email: alex@ns1333.spb.edu
Поступила в редакцию: 23 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Предпринята попытка исследования распределения по глубине эффективности возбуждения и выхода ультрамягкого рентгеновского L2,3 излучения кремния, возбуждаемого электронами различных энергий. Функция генерации, описывающая эффективность возбуждения, является ядром интегрального уравнения, определяющего зависимость интенсивности рентгеновского излучения от энергии первичных электронов. С целью определения вида этой функции исследована зависимость от энергии первичных электронов интенсивности Si L2,3 рентгеновского эмиссионного спектра и составляющих его L2,3 полос кремния в кристаллическом кремнии и в аморфном диоксиде SiO2 в системе образцов, представляющих собой слои диоксида разной толщины, выращенные на поверхности кристаллического кремния. Такая постановка эксперимента позволила исследовать сечения функции генерации на глубине, соответствующей глубине залегания интерфейса Si-SiO2. Для теоретического моделирования вида функции генерации использовались простейшие законы взаимодействия электронов с твердыми телами и наиболее общий вид сечения ионизации внутреннего уровня электронным ударом. Сопоставление экспериментально полученных относительных вкладов излучения Si и SiO2 с рассчитанными показало хорошее соответствие вплоть до энергии первичных электронов 2-3 keV.