Изучено взаимодействие атомов Sm с поверхностью Si(111). Исследования проводились методами дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии и контактной разности потенциалов в широкой области температур кремния (от комнатной до 1140 K), при которых самарий наносился на поверхность образцов. Интервал покрытий охватывал значения от 0 до 55 монослоев. Показано, что форма низкоэнергетического Оже-спектра самария зависит от степени покрытия, а ее изменение коррелирует с изменением валентности атомов Sm. Установлено, что при осаждении самария на кремний при комнатной температуре упорядоченные структуры не образуются и что на начальных этапах этого процесса происходит частичное перемешивание атомов металла и полупроводника. Когда самарий наносится на подогретый кремний (900 и 1140 K), то вначале образуется адсорбированная пленка (переходный слой), структура которой определяется степенью покрытия и температурой, а затем на переходном слое начинают расти трехмерные кристаллиты силицидов. Их форма зависит от температуры подложки. Этой зависимостью обусловлена связь между температурой и покрытием, при котором происходит коалесценция кристаллитов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.