Предложен новый метод изучения энергетических характеристик дислокаций, основанный на исследовании взаимодействия движущихся дислокаций с направленно вводимыми электронными и дырочными центрами. Проведены исследования щелочно-галоидных кристаллов KCl, NaCl, KBr, LiF и KI, содержащих электронные F- и дырочные V_K- и Me⁺⁺ (Cu⁺⁺, Ag⁺⁺, Tl⁺⁺, In⁺⁺)-центры. Исследование температурной зависимости взаимодействия дислокаций с F-центрами позволило определить положение электронной дислокационной зоны (ЭДЗ) в зонной схеме кристалла. В KCl ЭДЗ удалена от дна зоны проводимости на ~ 2.2 eV. Показано, что дислокации переносят дырки от центров, расположенных ниже дырочной дислокационной зоны (ДДЗ) (X⁺, In⁺⁺, Tl⁺⁺, V_K), на центры, лежащие выше ДДЗ, (Cu⁺, Ag⁺)-центры. Такой процесс не зависит от температуры. Определено положение ДДЗ в зонной схеме кристалла, в кристалле KCl она удалена от вершины валентной зоны на ~ 1.6 eV. Определены эффективные радиусы взаимодействия дислокаций с электронными F- и дырочными X⁺, V_K, Tl⁺⁺-центрами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.