Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления слоистого полупроводника CuFeTe₂ в плоскости слоев и перпендикулярно им в области температур 5-300 K. Показано, что в рассмотренном температурном интервале в обеих зависимостях можно выделить два участка: в высокотемпературной области доминирует проводимость термовозбужденных примесных носителей заряда по разрешенной зоне, а в более низкой области температур проводимость осуществляется посредством прыжков носителей заряда по локализованным состояниям, лежащим в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми. Определена энергия активации примесных носителей заряда. Оценены плотности локализованных состояний вблизи уровня Ферми, разброс по энергии этих состояний, средние длины прыжков носителей заряда при различных температурах. PACS: 71.20.Nr, 72.20.Fr

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.