Вышедшие номера
К расчету линейной и квадратичной диэлектрических восприимчивостей гексагонального карбида кремния
Давыдов C.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

В рамках метода связывающих орбиталей Харрисона вычислены электронные и решеточные вклады в линейную и квадратичную восприимчивость гексагонального политипа карбида кремния 2H-SiC. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с расчетами других авторов и по порядку величины близки к соответствующим значениям для политипа 6H-SiC. Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант N 04-02-16632. PACS: 77.22.Ch, 77.84.Bw