Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К расчету линейной и квадратичной диэлектрических восприимчивостей гексагонального карбида кремния

Давыдов C.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 18 января 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках метода связывающих орбиталей Харрисона вычислены электронные и решеточные вклады в линейную и квадратичную восприимчивость гексагонального политипа карбида кремния 2H-SiC. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с расчетами других авторов и по порядку величины близки к соответствующим значениям для политипа 6H-SiC. Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант N 04-02-16632. PACS: 77.22.Ch, 77.84.Bw

В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наукова думка, Киев (1987)
C. Cheng, V. Heine, R.J. Needs. J. Phys.: Condens. Matter 2, 23, 5115 (1990)
С.Ю. Давыдов, Е.И. Леонов. ФТТ 29, 2890 (1987)
С.Ю. Давыдов, Е.И. Леонов. ФТТ 30, 1326 (1988)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ 37, 3044 (1995)
У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983).
W.A. Harrison. Phys. Rev. B 27, 3592 (1983)
Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография 28, 910 (1983)
K. Karch, F. Bechstedt, P. Pavone, D. Strauch. Phys. Rev. B 53, 13 400 (1996)
Ю.И. Сиротин, М.П. Шаскольская. Основы кристаллофизики. Наука, М. (1975)
F.N.H. Robinson. Phys. Lett. A 26, 435 (1968)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП 31, 823 (1997)
B. Adolph, F. Bechstedt. Materials Science Forum Vols. 264--268, 287 (1998)
J. Chen, Z.H. Levine, J.W. Wilkins. Phys. Rev. B 50, 11 514 (1994)
S. Singh, J.R. Potopowich, L.G. Van Uitert, S.H. Wemple. Appl. Phys. Lett. 19, 53 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель