Вышедшие номера
Исследование эффекта Ханле по поперечной компоненте спиновой ориентации электронов в полупроводниках AIIIBV
Джиоев Р.И.1, Аксянов И.Г.1, Лазарев М.В.1, Нинуа О.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dzhioev@orient.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Исследован эффект Ханле в n-GaAs и p-AlGaAs в продольной геометрии, когда регистрируется излучение вдоль направления спина оптически ориентированных электронов, и в поперечной геометрии, когда регистрируется излучение, перпендикулярное этому направлению. Рассмотрены обстоятельства, которые привели к ошибке в определении знака g-фактора электронов в GaAs при использовании поперечной геометрии эксперимента. Показано, что результаты, получающиеся при измерении поперечной компоненты спиновой ориентации, весьма полезны для определения параметров полупроводниковых структур. Работа выполнена при поддержке РФФИ, а также программ ОФН и Президиума РАН. PACS: 72.25.Fe, 72.25.Dc