Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si / Si1-xGex : Er / Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе
Красильникова Л.В.1, Степихова М.В.1, Дроздов Ю.Н.1, Дроздов М.Н.1, Красильник З.Ф.1, Шенгуров В.Г.2, Чалков В.Ю.2, Светлов С.П.2, Гусев О.Б.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: luda@ipm.sci-nnov.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Приводятся результаты исследований структур Si / Si1-xGex : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в газовой фазе. Исследуемые структуры рассматриваются в качестве одного из вариантов структур для реализации лазера на Si / Er. Показано, что методом сублимационной МЛЭ в газовой фазе можно создавать эффективные светоизлучающие структуры, обнаруживающие интенсивный сигнал люминесценции на длине волны 1.54 mum. Для структур Si / Si1-xGex : Er / Si с параметрами, близкими к рассчитанным для создания структур лазерного типа, проведены структурный и элементный анализ, исследованы спектральные и кинетические особенности фотолюминесценции при температурах 4.2 и 77 K. Показано, что в слоях Si1-xGex : Er, выращенных этим методом, доля оптически активных ионов Er3+ достигает ~10% от полного содержания эрбиевой примеси. Согласно проведенным оценкам, значения коэффициентов оптического усиления в активных слоях Si1-xGex : Er (x=0.1 и 0.02) составили ~0.03 и ~0.2 cm-1. Значительное увеличение коэффициента усиления в структурах этого типа возможно за счет направленного формирования изолированных оптически активных центров иона Er3+ с характерной тонкой структурой спектра люминесценции. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16773, 04-02-17120) и INTAS (проекты N NANO-01-0444, 03-51-6486).
- Silicon-Based Optoelectronics / Ed. S. Coffa, L. Tsybeskov. MRS Bull. 23, 4, 16 (1998)
- Z.F. Krasilnik, V.Ya. Aleshkin, B.A. Andreev, O.B. Gusev, W. Jantsch, L.V. Krasilnikova, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov, V.G. Shengurov, V.B. Shmagin, N.A. Sobolev, M.V. Stepikhova, A.N. Yablonsky. Towards the First Silicon Laser / Ed. L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro. NATO Sci. Ser. II. Mathematics, Physics and Chemistry. Kluwer Academic Publ., Dordrecht (2003). Vol. 93. P. 445
- B. Andreev, V. Chalkov, O. Gusev, A. Emel'yanov, Z. Krasil'nik, V. Kuznetsov, P. Pak, V. Shabanov, V. Shengurov, V. Shmagin, N. Sobolev, M. Stepikhova, S. Svetlov. Nanotechnology 13, 97 (2002)
- N.Q. Vinh, H. Przybylinska, Z.F. Krasil'nik, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. Lett. 90, 6, 0 664 011 (2003)
- С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН. Сер. физ. 65, 2, 203 (2001)
- R. Serna, Jung H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys. 79, 5, 2658 (1996)
- Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, А.О. Солдаткин, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, И.Н. Яссиевич. ФТТ 43, 6, 979 (2001)
- P.B. Klein, G.S. Pomrenke. Electron. Lett. 24, 24, 1502 (1988)
- В.Я. Алешкин, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. В сб. тр. совещ. "Нанофотоника-2002". Н. Новгород (2002). С. 289
- H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A.Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B 54, 4, 2532 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
