Особенности электрооптических свойств кристаллов ниобата бария-стронция и их связь с доменной структурой
Волк Т.Р.1, Иванов Н.Р.1, Исаков Д.В.1, Ивлева Л.И.2, Лыков П.А.2
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Научный центр лазерных материалов и технологий Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
Email: volk@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
В кристаллах ниобата бария-стронция, монодоменизированных в сегнетоэлектрической фазе, обнаружены координатные зависимости электрооптических коэффициентов rij и полуволнового напряжения Vlambda/2 вдоль полярной оси. Распределения rij(z) и Vlambda/2(z) свидетельствуют о существовании остаточной доменной плотности D(z) и однозначано зависят от знака поляризующего поля: минимальная величина rij, т. е. максимальная D, всегда наблюдается у отрицательного электрода. Такой характер распределения D(z) и тем самым координатные зависимости rij(z) и Vlambda/2(z) объясняются преимущественным зарождением доменов у отрицательного электрода, выявленным при исследованиях процессов переключения методом 90o-(рэлеевского) рассеяния света на доменных стенках. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-13272) и INTAS (грант N 01-0173).
- Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, М. (1982). 400 с
- T. Volk, L. Ivleva, P. Lykov, D. Isakov, V. Osiko, M. Woehlecke. Appl. Phys. Lett. 79, 6, 854 (2001)
- M.D. Ewbank, R.R. Neurgaonkar, W.K. Cory, J. Feinberg. J. Appl. Phys. 62, 2, 374 (1987)
- K. Sayano, A. Yariv, R.R. Neurgaonkar. Appl. Phys. Lett. 55, 4, 378 (1989).
- А.Е. Андрейчук, Л.М. Дорожкин, Ю.С. Кузьминов, И.А. Масляницын, В.Н. Молчанов, А.И. Русаков, В.И. Симонов, В.Д. Шигорин, Г.П. Шипуло. Кристаллография 29, 6, 1094 (1984)
- Y.Y. Zhu, R.F. Xiao, J.S. Fu, G.K.L. Wong, N. Ming. Opt. Lett. 22, 18, 1382 (1997)
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. ЖЭТФ 120, 3, 678 (2001)
- T. Granzow, V. Doerfler, Th. Woike, M. Woehlecke, R. Pankrath, M. Imlau, W. Kleemann. Phys. Rev. B 63, 174 101 (2001)
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Д.В. Исаков, Е.С. Иванова. ФТТ 45, 11, 2067 (2003)
- L.E. Cross. Ferroelectrics 76, 241 (1987)
- L.I. Ivleva, N.V. Bogodaev, N.M. Polozkov, V.V. Osiko. Opt. Mater. 4, 168 (1995)
- M. DiDomenico, S.H. Wemple. J. Appl. Phys. 40, 3, 720 (1969)
- A.I. Bezhanova, V.G. Silvestrov, G.A. Zeinalova, T.R. Volk. Ferroelectrics 111B, 299 (1990)
- J.P. Wilde, R.E. Wilde. J. Appl. Phys. 71, 1, 418 (1992)
- D. Isakov, T. Volk, L. Ivleva, K. Betzler, C. David, A. Tunyagi, M. Woehlecke. Appl. Phys. Lett. Письма в ЖЭТФ 80, 4, 289 (2004)
- S. Kawai, T. Ogawa, H.S. Lee, R.C. DeMattei, R.S. Feigelson. Appl. Phys. Lett. 73, 6, 768 (1998)
- M.Y. Goulkov, T. Granzow, U. Doerfler, Th. Woike, M. Imlau, R. Pankrath. Appl. Phys. B 76, 4, 407 (2003)
- U. Doerfler, T. Granzow, Th. Woike, M. Woehlecke, R. Pankrath, M. Imlau. Appl. Phys. B 78, 2, 211 (2004)
- М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). С. 123
- T. Volk, D. Isakov, L. Ivleva, M. Woehlecke. Appl. Phys. Lett. 83, 11, 2220 (2003)
- Т.Р. Волк, Д.В. Исаков, Л.И. Ивлева. ФТТ 45, 8, 1463 (2003)
- Н.Ф. Евланова. Канд. дис. МГУ, М. (1978). 160 с
- L.A. Bursill, P.J. Lin. Phil. Mag. B 54, 157 (1986)
- G. Fogarty, B. Steiner, M. Cronin-Golomb, U. Laor, M.H. Garett, J. Martin, R. Uhrin. J. Optical Soc. America B 13, 11, 2636 (1996)
- Н.Р. Иванов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева, С.П. Чумакова, А.В. Гинзберг. Кристаллография 47, 6, 1065 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.