Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зарождение и развитие частичных дислокаций несоответствия и дефектов упаковки в тонкопленочных гетероструктурах
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 9 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Рассмотрены особенности зарождения и развития частичных дислокаций несоответствия в вершинах V-образных конфигураций полос дефекта упаковки, которые оканчиваются в объеме растущей пленки на 90o частичных дислокациях Шокли. Рассчитаны критические толщины hc эпитаксиальной пленки, при которых зарождение таких дефектных образований становится энергетически выгодным. Показано, что при малых несоответствиях сначала зарождаются полные дислокации несоответствия, а при больших - частичные, расположенные в вершинах V-образных конфигураций полос дефекта упаковки, выходящих на поверхность пленки. Исследованы возможности дальнейшего развития последних с увеличением толщины пленки. Работа выполнена при поддержке Научного совета по МНТП России "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 97-3006), Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-16075), Отдела морских исследований США (the Office of US Naval Research грант N 00014-99-1-0569) и программы ИНТАС (грант N 99-1216).
- Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Наук. думка, Киев (1983). 304 с
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. Металлургия, М. (1985). 160 с
- E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Rep. 7, 1, 87 (1991)
- L.B. Freund. MRS Bulletin 17, 1, 52 (1992)
- R. Beanland, D.I. Dunstan, P.I. Goodhew. Adv. Phys. 45, 1, 87 (1996)
- S.C. Jain, A.H. Harker, R.A. Cowley, Philos. Mag. A75,6, 1461 (1997)
- А.К. Гутаковский, О.П. Пчеляков, С.И. Стенин. Кристаллография 25, 4, 806 (1980)
- М.Ю. Гуткин, К.Н. Микаелян, И.А. Овидько. ФТТ 40, 1, 2059 (1998)
- B.C. De Cooman, C.B. Carter. Acta metall. 37, 10, 2765 (1989)
- B.C. De Cooman, C.B. Carter, Kam Toi Chan, J.R. Shealy. Acta metall. 37, 10, 2779 (1989)
- J. Zou, D.J.H. Cockayne. Appl. Phys. Lett. 69, 8, 1083 (1996)
- M. Loubradou, R. Bonnet, A. Vila, P. Ruterana. Mater. Sci. Forum. 207--209, 1, 285 (1996)
- M. Tamura. Appl. Phys. A63, 2, 359 (1996)
- A.F. Schwartzman, R. Sinclair. J. Electron. Maters. 20, 10, 805 (1991)
- I.A. Ovid'ko. J. Phys: Condensed Matter.11, 34, 6521 (1999)
- I.A. Ovid'ko. In: Nanostructured Films and Coatings, NATO ARW Ser. / Ed. by G.-M. Chow, I.A. Ovid'ko, T. Tsakalakos. Kluwer, Dordrecht (2000). P. 231
- Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. Атомиздат, М. (1972). 600 с
- T. Mura. In: Advances in Materials Research / Ed. by H. Herman. Interscience Publishers, N. Y. 3, 1 (1968)
- J. Zou, B.F. Usher, D.J.H. Cockayne, R. Glaisher. J. Electron. Maters. 20, 10, 855 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
