Динамические свойства дислокаций в термообработанных при низких температурах пластинах кремния
Меженный М.В.1, Мильвидский М.Г.2, Павлов В.Ф.1, Резник В.Я.2
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Гиредмет", Москва, Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Email: icpm@mail.girmet.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Изучены особенности генерации и движения дислокаций в бездислокационных пластинах кремния (монокристаллы выращены методом Чохральского), подвергнутых термообработкам при 450 и 650oC. Установлено, что низкотемпературные термообработки пластин с содержанием кислорода (7-8)· 1017 cm-3 оказывают существенное влияние на динамические характеристики вводимых в них при четырехточечном изгибе дислокаций, вызывая увеличение стартовых напряжений начала их движения. Обнаружена характерная пространственная неоднородность в генерации и распространении дислокаций от отпечатков индентора при игзибе термообработанных пластин. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.
- K. Sumino. Proc. 1st International Autumn School on Gettering and Defect Engineering in the Semiconductor Technology. Garzau / Ed. by H. Richter (1985). P. 41
- I.E. Bondarenko, V.G. Eremenko, V.I. Nikitenko, E.B. Yakimov. Phys. Stat. Sol. A60, 341 (1980)
- V.V. Voronkov. Semicond. Sci. Technol. 8, 2037 (1993)
- R. Falster, V.V. Voronkov. J. Crystal Growth 194, 1, 76 (1998)
- Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. Радио и связь. М. (1982). 240 с
- М.Г. Мильвидский, А.В. Беркова. Завод. лаб. XXVII, 5, 557 (1961)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.