Изложены результаты теоретического анализа процессов зарождения полупроводников III-нитридов при гетероэпитаксии (на примере зарождения GaN на поверхности AlN). Сделано заключение, что температура начальной стадии формирования слоя (T) определяет механизм этого процесса. При низкой температуре (T<500^oC) зарождаются островки жидкого галлия, а затем в результате химической реакции между Ga и N образуются зародыши GaN. При температуре подложки T>650^oC зарождаются только островки GaN. Установлено, что процесс зарождения островков GaN определяется обобщенным коэффициентом диффузии молекул GaN, являющимся комбинацией коэффициентов диффузии атомов галлия и азота. Показано, что обобщенный коэффициент диффузии GaN на поверхности кристалла возрастает на семь порядков при увеличении температуры роста от 600 до 800^oC, что приводит к изменению механизма роста эпитаксиальных слоев полупроводников III-нитридов. Авторы благодарят Санкт-Петербургский научный центр РАН и Фонд поддержки науки и образования (Санкт-Петербург) за финансовую поддержку работы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.