Влияние иодсодержащей добавки на состав, структуру и морфологию химически осажденных пленок селенида свинца
Смирнова З.И.1, Баканов В.М.1, Маскаева Л.Н.1,2, Марков В.Ф.1,2, Воронин В.И.3
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: imsok@bk.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.
Методами рентгеновской дифракции и растровой электронной микроскопии с энергодисперсионным анализом исследовано влияние добавки иодида аммония на элементный, фазовый состав, параметры структуры и морфологию поверхности пленок селенида свинца, осажденных из водных растворов. Установлено, что полученные пленки PbSe многофазны. Содержание иода в пленках прямо пропорционально концентрации NH4I в реакционной смеси и растет нелинейно с ее увеличением до 0.25 mol/L. Иод в составе пленок не образует отдельных иодсодержащих фаз, однако вызывает увеличение периода кристаллической решетки фазы PbSe от ~6.11 до ~6.16 Angstrem и уменьшение размера микрокристаллитов до ~20 nm. Наблюдается корреляция между размером зерен пленок, параметром кристаллической решетки PbSe и концентрацией иодида аммония, вводимого в реакционную смесь, что объясняется изменением механизма роста пленок на начальных этапах гидрохимического осаждения. Работа поддержана программой 211 Правительства РФ N 02.A03.21.0006.
- Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника. Мир, М. (1976). 431 с
- Н.П. Анисимова, Н.Э. Тропина, А.Н. Тропин. ФТП 44, 12, 1602 (2010)
- D. Parker, D.J. Singh, Q. Zhang, Z. Ren. J. Appl. Phys. 111, 12, 123 701 (2012)
- Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков, С.А. Немов. ФТП 30, 4, 717 (1996)
- В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Г.А. Китаев. ЖПХ 73, 8, 1256 (2000)
- В.Ф. Марков, А.В. Шнайдер, М.П. Миронов, В.Ф. Дьяков, Л.Н. Маскаева. Перспективные материалы 3, 28 (2008)
- M.C. Torquemada, M.T. Rodrigo, G. Vergara, F.J. Sanchez, R. Almazan, M. Verdu, P. Rodri guez, V. Villamayor, L.J. Gomez, M.T. Montojo. J. Appl. Phys. 93, 3, 1778 (2003)
- Н.В. Голубченко, М.А. Иошт, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. Перспективные материалы 3, 31 (2005)
- Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. Неорган. материалы 42, 9, 1040 (2006)
- Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. ФХС 32, 3, 464 (2006)
- Е.В. Мараева, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров. ФТП 47, 10, 1431 (2013)
- В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, И.В. Зарубин, Н.В. Замараева. Вода: химия и экология 6, 80 (2012)
- Г.А. Китаев, А.Ж. Хворенкова. ЖПХ 72, 9, 1440 (1999)
- H.M. Ali, S.A. Saleh. Thin Solid Films 556, 552 (2014)
- D. Khokhlov. Lead chalcogenides: physics \& applications / Ed. D. Khokhlov. Taylor \& Francis, NY (2003). 697 p
- H.M. Rietveld. J. Appl. Cryst. 2, 2, 65 (1969)
- Н.Г. Полянский. Свинец. Наука, М. (1986). 357 с
- В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева. Бутлеров. сообщ. 24, 2, 42 (2011)
- W.H. Hall. Proc. Phys. Soc., London A 62, 11, 741 (1949)
- W.H. Hall, G.K. Williamson. Proc. Phys. Soc., London B 64, 11, 937 (1951)
- G.K. Williamson, W.H. Hall. Acta Met. 1, 1, 22 (1953)
- М.А. Кривоглаз. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Наук. думка, Киев (1983). 407 с
- Я.С. Уманский, А.Н. Иванов. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. Металлургия, М. (1982). 631 с
- В.С. Урусов. Теоретическая кристаллохимия. Изд-во МГУ, М. (1987). 275 с
- Н.Ф. Уваров, В.В. Болдырев. Успехи химии 70, 4, 307 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.