Монокристаллы и микрокристаллы Si : B, обогащенные изотопом ²⁹Si, были исследованы методами ядерного магнитного резонанса и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в диапазоне температур 300-800 K. Установлено, что повышение температуры от 300 до 500 K приводит к смене кинетики релаксации насыщенной ядерной спиновой системы. При 300 K кинетика релаксации отвечает прямому электронно-ядерному взаимодействию с неоднородно распределенными парамагнитными центрами, введенными при пластической деформации кристаллов. При 500 K спиновая релаксация реализуется путем ядерной спиновой диффузии и электронно-ядерным взаимодействием с акцепторной примесью. Обнаружено влияние пластической деформации на спектры ЭПР при 9 K. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ (проекты 14-03-31004 и 13-07-12027).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.