Диэлектрический отклик на изменение температуры и электрическое поле для слоя (1000 nm)SrTiO3, выращенного эпитаксиально на (001)La0.67Ca0.33MnO3
Бойков Ю.А.1, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Email: Yu.Boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.
Исследованы структуры и диэлектрические параметры промежуточного слоя (1000 nm)SrTiO3 в трехслойной гетероструктуре (001)SrRuO3||(001)SrTiO3||(001) La0.67Ca0.33MnO3, сформированной на подложке (001)(LaAlO3)0.3+(Sr2AlTaO6)0.7. Оба оксидных электрода, так же как и слой из титаната стронция, выращены эпитаксиально - "куб на куб". Параметр элементарной ячейки в слое SrTiO3, измеренный в плоскости подложки (3.908±0.003 Angstrem), практически совпадал с соответствующим параметром (3.909±0.003 Angstrem), измеренным вдоль нормали к ее поверхности. В интервале 70-180 K температурная зависимость вещественной части диэлектрической проницаемости varepsilon' слоя SrTiO3 хорошо аппроксимировалась соотношением (varepsilon')-1~varepsilon0-1C-10(T-TC), где C0 и TC - соответственно постоянная Кюри и температура Кюри-Вейса для объемных кристаллов титаната стронция, varepsilon0 - диэлектрическая проницаемость вакуума. Полученные данные по зависимости диэлектрической проницаемости пленок SrTiO3 от температуры позволили оценить эффективную глубину проникновения электрического поля в манганитный электрод (Le~0.5 nm) и связанную с этим емкость (Ce~1·10-6 F/cm2) межфазной границы между слоем (001)SrTiO3 и нижним электродом (001)La0.67Ca0.33MnO3. Частичная финансовая поддержка данных исследований получена в рамках проекта "Низкоразмерные квантовые наноструктуры".
- C.S. Hwang. Mater. Sci. Eng. B 56, 2--3, 178 (1998)
- J.P. Hong, J.S. Lee. Appl. Phys. Lett. 68, 21, 3034 (1996)
- S.K. Streiffer, C. Basceri, C.B. Parker, S.E. Lash, A.I. Kingon. J. Appl. Phys. 86, 8, 4565 (1999)
- Y.A. Boikov, T. Claeson. Physica B 311, 3--4, 250 (2002)
- N.A. Pertsev, A.K. Tagantsev, N. Setter. Phys. Rev. B 61, 2, R 825 (2000)
- W.J. Merz. Phys. Rev. bf 91, 3, 513 (1953)
- R.C. Neville, B. Hoeneisen, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 5, 2124 (1972)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C 336, 3-4, 300 (2000)
- M. Tachiki, M. Noda, K. Yamada, T. Kobayashi. J. Appl. Phys. 83, 10, 5351 (1998)
- Yu. Boikov, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 80, 24, 4603 (2002)
- T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 9, 4357 (1971)
- C.J. Lu, Z.L. Wang, C. Kwon, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 88, 7, 4032 (2000)
- Спецификация компании Кристек, поставившей подложки LSATO
- R.W.J. Wyckoff. Crystal Structure. 2nd edition V. 2. Interscience Publ., N.Y. (1964). P. 394
- Yu.A. Boikov, D. Erts, T. Claeson. Mater. Sci. Eng. B 79, 2, 133 (2001)
- J.C. Jiang, W. Tian, X. Pan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Eng. B 56, 2--3, 152 (1998)
- Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ФТТ 45, 6, 1040 (2003)
- R.A. Rao, Q. Gan, C.B. Eom. Appl. Phys. Lett. 71, 9, 1171 (1997)
- E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 11, 2351 (1990)
- Ю.А. Бойков, В.А. Данилов, А.Ю. Бойков. ФТТ 45, 4, 649 (2003)
- Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ЖТФ 71, 10, 54 (2001)
- Y. Tokura. In: Colossal Magnetoresistive Oxides / Ed. Y. Tokura. Gordon and Breach Science Publ., Amsterdam, The Netherlands (2000). P. 1
- A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 5, 1321 (1996)
- H.Y. Ku, F.G. Ullman. J. Appl. Phys. 35, 2, 265 (1964)
- J.G. Simmons. Appl. Phys. Lett. 6, 3, 54 (1965)
- A.V. Boris, N.N. Kovaleva, A.V. Bazhenov, A.V. Samoilov, N.-C. Yeh, R.P. Vasquez. J. Appl. Phys. 81, 8, 5756 (1997)
- U.P. Wad, A.S. Ogale, S.B. Ogale, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett. 81, 18, 3422 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.