Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si
Российский научный фонд, 14-12-01102
Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.1,2, Романычев А.И.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Впервые выращены эпитаксиальные пленки оксида цинка на кремнии методом молекулярного наслаивания при T=250oC. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и оксидом цинка (константа реакции при температуре роста имеет порядок ~1022), на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~50 nm. Для роста пленок оксида цинка использовались пластины кремния ориентации (100) n- и p-типа проводимости. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементный анализы показали, что пленки ZnO являются эпитаксиальными. С.А. Кукушкин и А.В. Осипов благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).