Электропроводность и термоэдс оксидов La1-xLixCоO3-delta (0 ≤ x≤ 0.1)
Вечерский С.И.1, Конопелько М.А.1, Баталов Н.Н.1, Антонов Б.Д.1, Резницких О.Г.1, Ярославцева Т.В.1
1Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: vecherskii@ihte.uran.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
Исследовано влияние концентрации ионов Li на фазовый состав, электропроводность и термоэдс синтезированных керамическим способом оксидов La1-xLixCоO3-delta (0 ≤ x ≤ 0.1). Найдено, что область существования перовскитоподобного твердого раствора La1-xLixCоO3-delta не превышает x=0.05. Легирование литием приводит к увеличению электропроводности однофазных образцов по сравнению с имеющей место для LaCoO3. При повышении температуры от 300 до 400 K термоэдс LaCoO3 увеличивается от отрицательных до положительных значений, а затем уменьшается, оставаясь положительной в температурном интервале 400-1020 K. Термоэдс остальных образцов имеет положительный знак. Полученные результаты обсуждаются на основе моделей плотности электронных состояний в LaCoO3 и La1-xSrxCоO3-delta, предложенных в работах Сенарис-Родригеза (Senaris-Rodriguez) и Гуденафа (Goodenough), а также теории некристаллических веществ, развитой Моттом (Mott). Работа (частично) выполнена с использованием оборудования центра коллективного пользования "Состав вещества" ИВТЭ УрО РАН.
- M.A. Senaris-Rodriguez, J.B. Goodenough. J. Solid State Chem. 118, 323 (1995)
- R. Caciuffo, D. Rinaldi, G. Barucca, J. Mira, J. Rivas, M.A. Senaris-Rodriguez, P.G. Radaelli, D. Fiorani, J.B. Goodenough. Phys. Rev. B 59, 1068 (1999)
- A.N. Petrov, O.F. Kononchuk, A.V. Andreev, V.A. Cherepanov, P. Kofstad. Solid State Ion. 80, 189 (1995)
- V. Golovanov, L. Mihaly, A.R. Moodenbaugh. Phys. Rev. B 53, 8207 (1996)
- Н.О. Голосова, Д.П. Козленко, В.И. Воронин, В.П. Глазков, Б.Н. Савенко. ФТТ 48, 90 (2006)
- T. Ohtani, K. Kuroda, K. Matsugami, D. Katoh. J. Eur. Ceram. Soc. 20, 2721 (2000)
- S.R. Sehlin, H.U. Anderson, D.M. Sparlin. Phys. Rev. B 52, 11681 (1995)
- С.Ф. Пальгуев, В.К. Гильдерман, В.И. Земцов. Высокотемпературные оксидные электронные проводники для электрохимических устройств. Наука, M. (1990). 197 с
- P.M. Raccah, J.B. Goodenough. Phys. Rev. 155, 932 (1967)
- M.A. Senaris-Rodriguez, J.B. Goodenough. J. Solid State Chem. 116, 224 (1995)
- Н.Н. Лубинский, Л.А. Башкиров, Г.С. Петров, С.В. Шевченко, И.Н. Кандидатова, И.М. Сирота. Неорган. материалы 45, 1104 (2009)
- V. Zlatic, G. R. Boyd, J. K. Freericks. Phys. Rev. B 89, 155101 (2014)
- Y. Tokura, Y. Okimoto, S. Yamaguchi, H. Taniguchi, T. Kimura, H. Takagi. Phys. Rev. B 58, 1699 (1998)
- M.W. Haverkort, Z. Hu, J.C. Cezar, T. Burnus, H. Hartmann, M. Reuther, C. Zobel, T. Lorenz, A. Tanaka, N.B. Brookes, H.H. Hsieh, H.-J. Lin, C.T. Chen, L.H. Tjeng. Phys. Rev. Lett. 97, 176405 (2006)
- N.N. Oleynikov, V.A. Ketsko. Russ. J. Inorg. Chem. 49, Suppl. 1, 1 (2004)
- K. Huang, H.Y. Lee, J.B. Goodenough. J. Electrochem. Soc. 145, 3221 (1998)
- C.E. Baumgartner, R.H. Arendt, C. D. Iacovangelo, B.R. Karas. J. Electrochem. Soc. 131, 2217 (1984)
- H. Wang, Z. Zhao, P. Liang, C. Xu, A. Duan, G. Jiang, G. Xu, J. Liu. Catal. Lett. 124, 91 (2008)
- С.И. Вечерский, С.Н. Табатчикова, Б.Д. Антонов, В.А. Бирюков. Неорган. материалы 47, 1486 (2011)
- С.И. Вечерский, Н.Н. Баталов, Н.О. Есина, Г.Ш. Шехтман. ФТТ 46, 1433 (2004)
- Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термические устройства. Справочник. Наук. думка, Киев (1979). 768 с
- E. Antolini. J. Eur. Ceram. Soc. 18, 1405 (1998)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). Т. 1. 368 с
- E.В. Харитонов. Диэлектрические материалы с неоднородной структурой. Радио и связь, М. (1983). 128 с
- Р. Смит. Полупроводники. Мир, М. (1982). 560 с
- Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978). 792 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.