Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоотражение антимонида индия
Министерство образования и науки Российской Федераци, проектная часть государственного задания в сфере научной деятельности, 16.1307.2014/K
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс проектов фундаментальных научных исследований, выполняемых молодыми учеными – докторами или кандидатами наук, в научных организациях РФ в 2016-2018 годах, 16-32-60076 мол_а_дк
Комков О.С.
1,2, Фирсов Д.Д.
1, Львова Т.В.
2, Седова И.В.
2, Семeнов А.Н.
2, Соловьeв В.А.
2, Иванов С.В.
2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: okomkov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 11 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
Методом фотомодуляционной инфракрасной фурье-спектроскопии измерены спектры фотоотражения слоeв n-InSb. Образцы выращены молекулярно-пучковой эпитаксией на сильнолегированных подложках n+-InSb (001), отожжeнных в различных режимах. По периоду наблюдаемых в спектрах фотоотражения осцилляций Франца-Келдыша определялась напряжeнность приповерхностного электрического поля. Отмечено, что его значение возрастает при длительном хранении образцов на воздухе. Обработка слоeв n-InSb в 1M водном растворе Na2S приводила к увеличению измеряемого поля. Ранее было показано, что при такой обработке поверхностный уровень Ферми сдвигается в глубь зоны проводимости и, вероятно, не зависит от условий и времени предварительного хранения образцов. С использованием пассивации в Na2S развитый в работе оптический метод позволяет бесконтактно измерять концентрацию электронов в гомоэпитаксиальных слоях n-InSb. Исследования в СПбГЭТУ частично поддержаны субсидией Минобрнауки РФ (N 16.1307.2014/K) и РФФИ в рамках научного проекта N 16-32-60076 мол_а_дк.
- НПО "Орион", http://orion-ir.ru/produkciya
- T. Ashley, L. Buckle, S. Datta, M.T. Emeny, D.G. Hayes, K.P. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T.J. Phillips, D.J. Wallis, P.J. Wilding, R. Chau. Electron. Lett. 43, 777 (2007)
- J.M.S. Orr, A.M. Gilbertson, M. Fearn, O.W. Croad, C.J. Storey, L. Buckle, M.T. Emeny, P.D. Buckle, T. Ashley. Phys. Rev. B, 77, 165334 (2008)
- П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. Физматлит, M. (2002). Гл. 6. С. 282. [P. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties. Springer (2002).]
- J. Shay, R. Nahory, C. Patel. Phys. Rev., 184, 809 (1969)
- T.J.C. Hosea, M. Merrick, B.N. Murdin. Phys. Status Solidi A 202, 7, 1233 (2005)
- H. Piller, C.K. So, R.C. Whited. Surf. Sci. 37, 639 (1973)
- D. Auvergne, J. Camassel, H. Mathieu, A. Joullie. J. Phys. Chem. Solids 35, 133 (1974)
- Д.Д. Фирсов, О.С. Комков. ПЖТФ 39, 23, 87 (2013)
- J. Misiewichz, P. Sitarek, G. Sek, R. Kudrawiec. Mater. Sci. 21, 263 (2003)
- А.Н. Пихтин, М.Т. Тодоров. ФТП 27, 7, 1139 (1993)
- А.Н. Пихтин, О.С. Комков, К.В. Базаров. ФТП 40, 5, 608 (2006)
- X. Yin, H.-M. Chen, F.H. Pollak, Y. Chan, P.A. Montano, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett. 58, 3, 260 (1991)
- О.С. Комков, А.Н. Пихтин, Л.М. Фeдоров, Ю.В. Жиляев. ПЖТФ, 34, 1, 81 (2008)
- О.С. Комков, Р.В. Докичев, А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов. ПЖТФ 39, 22, 56 (2013)
- Т.В. Львова, М.С. Дунаевский, М.В. Лебедев, А.Л. Шахмин, И.В. Седова, С.В. Иванов. ФТП 47, 5, 710 (2013)
- V.A. Solov'ev, I.V. Sedova, T.V. Lvova, M.V. Lebedev, P.A. Dement'ev, A.A. Sitnikova, A.N. Semenov, S.V. Ivanov. Appl. Surf. Sci. 356, 378 (2015)
- О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, А.Н. Семeнов, Б.Я. Мельцер, С.И. Трошков, А.Н. Пихтин, С.В. Иванов. ФТП 47, 2, 264 (2013).
- S.V. Ivanov, A.A. Boudza, R.N. Kutt, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, S.V. Shaposhnikov, S.S. Ruvimov, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth 156, 3, 191 (1995)
- H. Shen, F.H. Pollak, J.M. Woodall, R.N. Sacks. J. Vac. Sci. Technol. B 7, 4, 804 (1989)
- N. Kallergi, B. Roughani, J. Aubel, S. Sundaram. J. Appl. Phys. 68, 4656 (1990)
- О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Е.А. Ковалишина, А.С. Петров. Изв. вузов. Матер. эл. техн. 3, 194 (2014)
- X. Chen, J. Jung, Z. Qi, L. Zhu, S. Park, L. Zhu, E. Yoon, J. Shao. Opt. Lett. 40, 22, 5295 (2015)
- O.S. Komkov, G.F. Glinskii, A.N. Pikhtin, Y.K. Ramgolam. Phys. Status Solidi A 206, 5, 842 (2009)
- T.J.C. Hosea. Phys. Status Solidi B 189, 2, 531 (1995)
- C.L. Littler, D.G. Seller. Appl. Phys. Lett. 46, 10, 986 (1985)
- T.V. Lvova, A.L. Shakhmin, I.V. Sedova, M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci. 311, 300 (2014).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
