Вышедшие номера
Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe2
Одринский А.П. 1, Seyidov M.-H.Yu.2,3, Мамедов Т.Г.2, Алиева В.Б.2
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Department of Physics, Gebze Technical University, Gebze, Kocaeli, Turkey
Email: a.odrinsky@gmail.com, odra@mail333.com
Поступила в редакцию: 18 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Представлены результаты феноменологического исследования кинетики аномального фотоотклика слоистого сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2 в области температур T~170-280 K, соответствующей параэлектрической фазе кристалла. С учетом изменений с температурой кинетики фотоотклика предложены основные механизмы возникновения аномалий, связанные с пространственной неоднородностью локализованных и нелокализованных зарядов в объеме кристалла. Предложен механизм возникновения параметрического резонанса как обусловленного фотогальваническими токами в кристалле. DOI: 10.21883/FTT.2017.03.44152.189