Вышедшие номера
Линейно-циркулярный дихроизм в полупроводнике со сложной валентной зоной с учетом четырехфотонного поглощения света
Расулов Р.Я.1, Расулов В.Р.1, Эшболтаев И.М.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
Email: r_rasulov51@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм многофотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной. Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получено выражение для температурной зависимости коэффициента многофотонного поглощения поляризованного излучения, где учтены оптические переходы между подзонами тяжелых и легких дырок полупроводника. DOI: 10.21883/FTT.2017.03.44153.215