Влияние легирования и предварительной обработки на магнитостимулированную подвижность дислокаций в монокристаллах InSb
Петржик Е.А.1, Даринская Е.В.1, Ерофеева С.А.2, Раух ман М.Р.3
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: petrzhik@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Обнаружено влияние типа проводимости и степени легирования монокристаллов InSb на подвижность быстрых 60o дислокаций в магнитном поле. Оказалось, что при легировании чистого кристалла InSb теллуром (n-тип) до 1018 cm-3 подвижность дислокаций падает до уровня фона. В то же время в кристаллах InSb p-типа, легированных Ge, при такой же концентрации носителей (1018 cm-3) магнитопластический эффект ярко выражен. Показано, что предварительное механическое нагружение, а следовательно, и внутренние напряжения кристалла влияют не только на среднюю величину пробегов дислокаций в магнитном поле, но и на величину порогового магнитнго поля, ниже которого магнитопластический эффект не наблюдается. Обсуждаются возможные причины этих явлений. Работа частично финансировалась грандом Российской академии наук (Шестой конкурс научных проектов молодых ученых РАН).
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 2, 467 (1987)
- В.И. Альшиц, А.А. Урусовская, А.Е. Смирнов, Н.Н. Беккауер. ФТТ 42, 2, 270 (2000)
- Yu.I. Golovin, R.B. Morgunov, D.V. Lopatin, A.A. Baskakov. Phys. Stat. Sol. (a) 160, R3 (1997)
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. Письма в ЖЭТФ 61, 7, 583 (1995)
- Н.А. Тяпунина, В.Л. Красников, Э.П. Белозерова. Изв. РАН. Сер. физ. 64, 9, 1776 (2000)
- О.И. Дацко. ФТТ 44, 2, 289 (2002)
- V.I. Alshits, E.V. Darinskaya, O.L. Kazakova, E.Yu. Mikhina, E.A. Petrzhik. Mater. Sci. Eng. А 234--236, 617 (1997)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская. Письма в ЖЭТФ 70, 11, 749 (1999)
- Е.В. Даринская, М.В. Колдаева. Письма в ЖЭТФ 70, 3, 226 (1999)
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, А.А. Дмитриевский. ЖЭТФ 116, 6, 123 (2000)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, И.В. Гектина, Ф.Ф. Лаврентьев. Кристаллография 35, 4, 1014 (1990)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик. ФТТ 34, 1, 155 (1992)
- Н.Н. Песчанская, П.Н. Якушев. ФТТ 39, 9, 1690 (1997)
- Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.Ю. Ликсутин. Высокомолекуляр. соединения Б 40, 373 (1999)
- Ю.А. Осипьян, Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, Р.К. Николаев, И.А. Пушнин, С.З. Шмурак. ФТТ 43, 7, 1333 (2001)
- Е.В. Даринская, Е.А. Петржик, С.А. Ерофеева, В.П. Кисель. Письма в ЖЭТФ 70, 4, 298 (1999)
- А.А. Скворцов, А.М. Орлов, В.А. Фролов, Л.И. Гончар, О.В. Литвиненко. ФТТ 42, 10, 1814 (2000)
- А.А. Скворцов, А.М. Орлов, Л.И. Гончар. ЖЭТФ 120, 1, 134 (2001)
- В.А. Макара, Л.П. Стебленко, Н.Я. Горидько, В.М. Кравченко, А.Н. Коломиец. ФТТ 43, 3, 462 (2001)
- Б.И. Смирнов, Н.Н. Песчанская, В.И. Николаев. ФТТ 43, 12, 31 (2001)
- С.А. Гриднев, К.С. Дрождин, В.В. Шмыков. ФТТ 42, 2, 318 (2000)
- Я.Б. Зельдович, А.Л. Бучаченко, Е.Л. Франкевич. УФН 155, 1, 3 (1988)
- А.Л. Бучаченко, Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Наука, Новосибирск (1978). 296 с
- S.A. Erofeeva. Phil. Mag. A 70, 943 (1994)
- V.P. Kisel, S.A. Erofeeva, M.Sh. Shikhsaidov. Phil. Mag. A 67, 343 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
