Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Потенциальные изображения сегнетоэлектрических доменных структур в кристаллах ниобата лития после формирования электронным лучом

DOI: 10.21883/FTT.2018.09.46391.046

Переводная версия: 10.1134/S1063783418090159

Коханчик Л.С.

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Email: mlk@iptm.ru

Поступила в редакцию: 21 февраля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В кристаллах ниобата лития с помощью низковольтной SEM-микроскопии исследовались сегнетоэлектрические доменные структуры, созданные электронным лучом. Структуры были сформированы в кристаллах с различной проводимостью - в высокоомных образцах конгруэнтного состава (CLN) и в образцах с проводимостью, улучшенной благодаря восстановительному отжигу (RLN). Проанализирована потенциальная природа контраста доменных структур, наблюдаемых в режиме вторичных электронов в зависимости от проводимости образцов и направления спонтанной поляризации доменов. Предполагается, что контраст доменов в кристаллах CLN связан с длительно сохраняющимися зарядами, локализованными у доменных стенок и в зонах облучения. Записанные доменные структуры в кристаллах CLN визуализировались на полярных и неполярных срезах. В кристаллах RLN с улучшенной, по сравнению с CLN, проводимостью потенциальный контраст периодических доменных структур был обнаружен только на полярных срезах, где вектор P_s доменов перпендикулярен облучаемой поверхности. Этот контраст, по-видимому, связан с влиянием поля зарядов спонтанной электрической поляризации на вторичные электроны. Работа выполнена в рамках государственного задания N 007-00220-18-00.

P. Ferraro, S. Grilli, P.D. Natale. Ferroelectric Crystals for Photonic Applications. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (2009)
J. He, S.H. Tang, Y.Q. Qin, P. Dong, H.Z. Zhang, C.H. Kang, W.X. Sun, Z.X. Shen. J. Appl. Phys. 93, 9943 (2003)
M. Fujimura, K. Kintaka, T. Suhara, H. Nishihara. J. Light. Tech. 11, 1360 (1993)
C. Restoin, S. Massy, C. Darraud-Taupiac, A. Barthelemy. Opt. Mater. 22, 193 (2003)
J. Son, Y. Yuen, S. Orlov, L. Hesselink. J. Cryst. Growth 281, 492 (2005)
P. Molina, M.O. Ramirez, J. Garcia-Sole, L.E. Bausa. Opt. Mater. 31, 1777 (2009)
L. Mateos, L.E. Bausa, M.O. Ramirez. Appl. Phys. Lett. 102, 042910 (2013)
L.S. Kokhanchik, M.V. Borodin, N.I. Burimov, S.M. Shandarov, V.V. Shcherbina, T.R. Volk. IEEE TUFFC 59, 1076 (2012)
T.R. Volk, L.S. Kokhanchik, R.V. Gainutdinov, Ya.V. Bodnarchuk, S.M. Shandarov, M.V. Borodin, S.D. Lavrov, H. Liu, F. Chen. J. Lightwave Technology 33, 4761 (2015)
D.S. Chezganov, E.O. Vlasov, M.M. Neradovskiy, L.V. Gimadeeva, E.A. Neradovskaya, M.A. Chuvakova, H. Tronche, F. Doutre, P. Baldi, M.P. De Micheli, V.Ya. Shur. Appl. Phys. Lett. 108, 192903 (2016)
E. Soergel. Appl.Phys. B 81, 729 (2005)
R. Prashant Potnis, Nien-Ti Tsou, John E. Huber. Materials 4, 417 (2011)
R. Le Bihan. Ferroelectrics 97, 19 (1989)
R. Le Bihan, M. Maussion. Ferroelectrics 7, 307 (1974)
S. Ikeda, Y. Uchikawa. J. Electron Microscopy 29, 209 (1980)
G. Rosenman, A. Skliar, I. Lareah, N. Angert, M. Tseitlin, M. Roth. Phys. Rev. B 54, 6222 (1996)
S. Zhu, W. Cao. Phys. Status Solidi A 173, 495 (1999)
V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik, V.G. Monya. Ferroelectrics 70, 15 (1986)
A.A. Sogr. Ferroelectrics 97, 47 (1989)
V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik, K.-P. Meyer, K. Blumtritt. Phys. Status Solidi A 78, 229 (1983)
L.S. Kokhanchik. Micron 40, 41 (2009)
J. Li, H.X. Yang, H.F. Tian, C. Ma, S. Zhang, Y.G. Zhao, J.Q. Li. Appl. Phys. Lett. 100, 152903 (2012)
J.M. Saldana, J.M.C. Moreno, G.A. Schneider. Key Eng. Mater. 264-268, 1185 (2004)
P.F. Bordui, D.H. Jundt, E.M. Standifer, R.G. Norwood, R.L. Sawin, J.D. Galipeau. J. Appl. Phys. 85, 3766 (1999)
L.S. Kokhanchik, R.V. Gainutdinov, S.D. Lavrov, E.D. Mishina, T.R. Volk. Ferroelectrics 480, 49 (2015)
L.S. Kokhanchik, M.N. Palatnikov, O.B. Shcherbina. Phase Transitions 84, 797 (2011)
J. Cazaux. J. Appl. Phys. 85, 1137 (1999)
Микроанализ и растровая электронная микроскопия / Под ред. Ф. Морис, Л. Мени, Р. Тиксье / Пер. с франц. под ред. И.Б. Боровского. Металлургия, М. (1985). 392 с
K. Tanaka, T. Suhara. Electronics Lett. 51, 923 (2015)
J.P. Vigouroux, J.P. Duraud, A. Le Moel, C. Le Gressus, D.L. Griscorn. J. Appl. Phys. 57, 3195 (1985)
O. Norio, I. Takashi. J. Appl. Phys. 46, 1063 (1975)
L.S. Kokhanchik, Ya.V. Bodnarchuk, T.R. Volk. J. Appl. Phys. 122, 104105 (2017)
И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969) 408 c
H. Seiler. J. Appl. Phys. 54, R1 (1983)
T. Volk, M. Woehlecke. Lithium niobate: defects, photorefraction and ferroelectric switching. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (2008). 247 p
J. Cazaux. J. Appl. Phys. 59, 1418 (1986)
S. Fakhfakh, O. Jbara, S. Rondot, A. Hadjadj, J.M. Patat, Z. Fakhfakh. J. Appl. Phys. 108, 093705 (2010)
L.S. Kokhanchik, R.V. Gainutdinov, S.D. Lavrov, T.R. Volk. J. Appl. Phys. 118, 072001 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель