В кристаллах ниобата лития с помощью низковольтной SEM-микроскопии исследовались сегнетоэлектрические доменные структуры, созданные электронным лучом. Структуры были сформированы в кристаллах с различной проводимостью - в высокоомных образцах конгруэнтного состава (CLN) и в образцах с проводимостью, улучшенной благодаря восстановительному отжигу (RLN). Проанализирована потенциальная природа контраста доменных структур, наблюдаемых в режиме вторичных электронов в зависимости от проводимости образцов и направления спонтанной поляризации доменов. Предполагается, что контраст доменов в кристаллах CLN связан с длительно сохраняющимися зарядами, локализованными у доменных стенок и в зонах облучения. Записанные доменные структуры в кристаллах CLN визуализировались на полярных и неполярных срезах. В кристаллах RLN с улучшенной, по сравнению с CLN, проводимостью потенциальный контраст периодических доменных структур был обнаружен только на полярных срезах, где вектор P_s доменов перпендикулярен облучаемой поверхности. Этот контраст, по-видимому, связан с влиянием поля зарядов спонтанной электрической поляризации на вторичные электроны. Работа выполнена в рамках государственного задания N 007-00220-18-00.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.