Впервые проведено теоретическое исследование и ab initio расчеты атомной и электронной структуры 4-х вариантов поверхности 3C-SiC(111)-(2sqrt(3)sqrt, заканчивающейся Si: исходной, релаксированной, реконструированной и релаксированной после реконструкции. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировалась системой тонких пленок (слэбов) толщиной 12 атомных слоев, и разделенных вакуумными промежутками ~16 Angstrem. Для замыкания оборванных связей углерода на противоположной стороне пленки добавлялись 12 атомов водорода. Ab initio расчеты проводились с использованием программы QUANTUM ESPRESSO, основанной на теории функционала плотности. Показано, что реконструкция приводит к расщеплению атомных слоев. Предыдущие работы авторов и экспериментальные данные показали, что подобные расщепления присущи реконструкциям поверхности (111) в кристаллах со структурой сфалерита. Рассчитаны и проанализированы зонные структуры 4-х вариантов слэба. Рассчитаны полные и послойные для 4-х верхних слоев плотности состояний валентных электронов. Показано, что реальная поверхность имеет металлическую проводимость. Все расчеты были выполнены на вычислительном кластере Института проблем материаловедения НАН Украины.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.