Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменение термодинамических свойств твердого раствора Si-Ge при уменьшении размера нанокристалла

DOI: 10.21883/FTT.2019.11.48424.484

Переводная версия: 10.1134/S1063783419110210

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-11013_мк

Программа фундаментальных исследований Президиума РАН , 6, 2-13

Магомедов М.Н.

¹Институт проблем геотермии ДагНЦ РАН, Махачкала, Россия Institute for Geothermal Problems, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Dagestan, Russia

Institute for Geothermal Problems, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Dagestan, Russia

Email: mahmag4@mail.ru

Поступила в редакцию: 20 мая 2019 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках модели "среднего атома" для бинарного сплава рассчитано уравнение состояния и термодинамические свойства твердого раствора замещения Si_0.5-Ge_0.5. Используя RP-модели нанокристалла, рассчитаны изменения как уравнения состояния, так и термодинамических свойств при переходе от макрокристалла к нанокристаллу из 222 атомов с геометрической поверхностью Гиббса. Расчеты были проведены вдоль изотерм T=100, 300 и 1000 K, в диапазоне давлений: -1<P<7 GPa. Изучено изменение свойств как при изохорическом, так и при изобарическом (P=0) уменьшении числа атомов в нанокристалле. Показано, что при изобарическом (P=0) уменьшении размера удельный объем нанокристалла Si_0.5-Ge_0.5 увеличивается тем больше, чем больше температура нанокристалла. Ключевые слова: нанокристалл, изохора, изобара, кремний, германий.

J. Biskupek, U. Kaiser, K. Gartner. J. Electron Microscopy 54, 6, 493 (2005). DOI: 10.1093/jmicro/dfi067
A.A. Shklyaev, V.A. Volodin, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. J. Appl. Phys. 123, 1, 015304 (2018). DOI: 10.1063/1.5009720
М.Н. Магомедов. ФТТ 59, 6, 1065 (2017). DOI: 10.1134/S1063783417060142
М.Н. Магомедов. ФТТ 60, 5, 970 (2018). DOI: 10.1134/S1063783418050190
М.Н. Магомедов. ЖТФ 84, 11, 80 (2014). DOI: 10.1134/S106378421411019X
М.Н. Магомедов. ФТТ 61, 4, 757 (2019). DOI: 10.1134/S106378341904019X
P. Sharma, S. Ganti. J. Mater. Res. 18, 8, 1823 (2003). DOI: 10.1557/JMR.2003.0253
V.M. Huxter, A. Lee, S.S. Lo, G.D. Scholes. Nano Lett. 9, 1, 405 (2008). DOI: 10.1021/nl803275a
М.Н. Магомедов. ПЖТФ 39, 9, 9 (2013). DOI: 10.1134/S1063785013050076
L. Liang, M. Li, F. Qin, Y. Wei. Philosoph. Mag. 93, 6, 574 (2013). DOI: 10.1080/14786435.2012.725950
C.J. Bhatt, K. Kholiya. Indian J. Pure Appl. Phys. 52, 9, 604 (2014). http://nopr.niscair.res.in/handle/123456789/29354
М.Я. Гамарник. ФТТ 30, 5, 1399 (1988)
M.Ya. Gamarnic. Phys. Rev. B 54, 3, 2150 (1996). DOI: 10.1103/PhysRevB.54.2150
М.Н. Магомедов. Рос. нанотехнологии 9, 5--6, 63 (2014). DOI: 10.1134/S1995078014030100
С.В. Станкус, Р.А. Хайрулин, П.В. Тягельский. Теплофизика высоких температур 37, 4, 559 (1999). http://mi.mathnet.ru/tvt2324
База данных: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/SiGe/ basic.html
М.Н. Магомедов. Неорг. материалы 46, 11, 1305 (2010). DOI: 10.1134/S002016851011004X
S. Goumri-Said, M.B. Kanoun, A.E. Merad, G. Merad, H. Aourag. Mater. Sci. Eng.: B 111, 2--3, 207 (2004). DOI: 10.1016/j.mseb.2004.04.016
Y. Zhu, X. Zhang, S. Zhang, X. Sun, L. Wang, M. Ma, R. Liu. Appl. Phys. A 115, 2, 667 (2014). DOI: 10.1007/s00339-013-7847-4
Z. Sui, H.H. Burke, I.P. Herman. Phys. Rev. B 48, 4, 2162 (1993). DOI: 10.1103/PhysRevB.48.2162
H.-M. Kagaya, Y. Kitani, T. Soma. Solid State Commun. 58, 6, 399 (1986). DOI: 10.1016/0038-1098(86)90814-8
M. Mendik, M. Ospelt, H. von Kanel, P. Wachter. Appl. Surface Sci. 50, 1--4, 303 (1991). DOI: 10.1016/0169-4332(91)90187-o
B. Bouhafs, H. Aourag, M. Ferhat, M. Certier. J. Phys. Chem. Solids 59, 5, 759 (1998). DOI: 10.1016/S0022-3697(97)00152-2
V.K. Tewary. Phys. Lett. A 375, 43, 3811 (2011). DOI: 10.1016/j.physleta.2011.08.054
V.K. Tewary, M.D. Vaudin. CMC: Comput., Mater. Continua 25, 3, 265 (2011). DOI: 10.3970/cmc.2011.025.265
J.P. Dismukes, L. Ekstrom, R.J. Paff. J. Phys. Chem. 68, 10, 3021 (1964). DOI: 10.1021/j100792a049
Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. Высш. шк., М. (1968). 487 с
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. Успехи физ. наук 171, 7, 689 (2001). DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689
В.А. Зиновьев. Автометрия 45, 4, 60 (2007). DOI: 10.3103/S8756699009040086
В.Б. Федосеев, А.В. Шишулин. ФТТ 60, 7, 1382 (2018). DOI: 10.1134/S1063783418070120
V. Ravi, S. Firdosy, T. Caillat, E. Brandon, K. Van Der Walde, L. Maricic, A. Sayir. J. Electron. Mater. 38, 7, 1433 (2009). DOI: 10.1007/s11664-009-0734-2
L. Pavlova, Y. Shtern, E. Kirilenko. J. Mater. Sci. 52, 2, 921 (2017). DOI: 10.1007/s10853-016-0387-5

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель