Приведены результаты исследования структуры и динамики решетки монокристаллических пленок Bi₄Ti₃O₁₂ толщиной от 4 до 430 nm на подложке (001) MgO с предварительно осажденным подслоем Ba_0.4Sr_0.6TiO₃ (4 nm). Двухслойные структуры получены при высокочастотном распылении керамических мишеней соответствующего состава. Рентгендифракционные исследования, выполненные при комнатной температуре, показали, что в такой гетероструктуре ось c ячейки Bi₄Ti₃O₁₂ перпендикулярна подложке, а направление [100] составляет угол ±45^o с направлением [100]MgO. При толщине Bi₄Ti₃O₁₂ до ~40 nm элементарная ячейка пленки сжата в направлении нормали к плоскости подложки и растянута в плоскости сопряжения, а при больших толщинах происходит смена знака деформации. Обнаружены сдвиги частот фононных мод в пленке Bi₄Ti₃O₁₂ и появление дополнительных пиков в спектрах комбинационного рассеяния света, что свидетельствует об увеличении степени моноклинного искажения кристаллической структуры пленок по сравнению со структурой кристалла. Ключевые слова: сегнетоэлектрическая пленка, гетероструктуры, двумерные напряжения, динамики решетки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.