Обнаружен эффект инверсии полярности в слоях GaN с N-полярного слоя GaN на Ga-полярный слой GaN в процессе последовательного выращивания пленок GaN на гибридных подложках SiC/Si(111) методами методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота и методом хлорид-гидридной эпитаксии. Разработан новый метод формирования свободных от трещин Ga-полярных гетероструктур GaN/AlN на гибридных подложках SiC/Si(111). Метод включает в себя два этапа выращивания слоев GaN. На первом этапе методом МПЭ ПА на поверхности SiC/Si(111) выращивается переходный N-полярный слой GaN. На втором этапе, методом ХГЭ на полученном N-полярном слое GaN выращиваются два слоя, а именно слой AlN, а затем слой GaN, который на этом этапе вырастает Ga-полярной ориентации. Установлено, что травление в растворе KOH затрагивает только N-полярный переходный слой GaN и приводит к полному его удалению, что позволят полностью отделить основной Ga-полярный слой GaN от подложки SiC/Si(111). Метод позволяет выращивать свободные от трещин и упруго не напряженные толстые слои GaN, и переносить их на подложки других материалов. Ключевые слова: GaN, AlN, кремний, SiC на Si, метод замещения атомов, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией, хлорид-гидридная эпитаксия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.