Вышедшие номера
Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах AIIIBV
Переводная версия: 10.1134/S1063783419120230
Корякин А.А.1,2, Лещенко Е.Д.3,2, Дубровский В.Г.2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Solid State Physics and NanoLund, Lund University, Box 118, Lund, Sweden
Email: koryakinaa@spbau.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Проведено теоретическое исследование влияния упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах AIIIBV. Построены профили состава осевого гетероперехода InAs/GaAs в самокаталитических нитевидных нанокристаллах GaxIn1-xAs. Показано, что ширина гетероперехода InAs/GaAs составляет десятки монослоев и возрастает с увеличением радиуса нитевидного нанокристалла из-за упругих напряжений. Релаксация упругих напряжений на боковых поверхностях нитевидных нанокристаллов при типичной температуре роста (около 450oC) и радиусе нитевидных нанокристаллов больше 5 nm не приводит к возникновению области несмешиваемости в системе GaxIn1-xAs. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, полупроводники III-V, гетероструктуры, эпитаксия.