Проанализировано влияние таких параметров осаждения как мощность магнетрона в диапазоне 690-1400 W; температура кремниевой подложки - 23-170^oC; расход газа N₂ - 0.9-3.6 l/h; расход газа Ar - 0.06-3.6 l/h; отношение потоков газа N₂/Ar - 1-60 - на толщину, плотность и состав осажденных пленок. Получена максимальная плотность 5.247 g/cm³, соответствующая составу TiN_0.786=Ti₅₆N₄₄, при параметрах осаждения: 1200 W; N/Ar=1.8/0.06 l/h=30; 0.8 Pa; 320 s; 100^oC. При температурах 700-800^oС взаимная диффузия атомов титана и кремния через границу раздела приводит к активному зародышеобразованию, формированию нанокристаллов и низкоомных слоев металлизации. Методом рентгеновской дифракции показано, что во время отжига при 700^oС (30 min, Ar) образование фазы TiSi₂ вследствие диффузии атомов Ti в кремний вдвое интенсивнее, чем образование Ti₅Si₃ при диффузии атомов кремния в титан в результате высокой твердости титана. Средние размеры TiSi₂ уменьшаются с 7.1 до 5.6 nm при 750^oC из-за кристаллизации зародышей и увеличиваются до 9.2 nm при 800^oC. Ключевые слова: кремний, титан, нитрид титана, диффузионные барьер, солнечный элемент.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.