Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)
Russian science foundation, 20-12-00193
Корякин А.А.
1, Кукушкин С.А.
2, Осипов А.В.
2, Шарофидинов Ш.Ш.
21Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: koryakinaa@spbau.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 22 сентября 2021 г.
Принята к печати: 26 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2021 г.
Теоретически проанализирован механизм зарождения пленок нитрида алюминия, выращиваемых методом хлорид-гидридной эпитаксии на гибридных подложках 3C-SiC/Si(111). Определены температурные области и области давлений паров компонентов, в которых реализуются островковый и послойный механизмы роста. Теоретические выводы сравниваются с экспериментальными данными. Методом сканирующей электронной микроскопии изучена морфология пленки нитрида алюминия на 3C-SiC/Si(111) на начальной стадии роста. Предлагаются способы управления сменой механизма роста от островкового к послойному. Ключевые слова: нитрид алюминия, нитрид галлия, карбид кремния на кремнии, метод HVPE, нуклеация, широкозонные полупроводники, гетероструктуры.
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
- С.А. Кукушкин, Ш.Ш. Шарофидинов. ФТТ 61, 2338 (2019). DOI: 10.21883/ftt.2019.12.48549.51ks
- Л.К. Марков, С.А. Кукушкин, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, А.С. Гращенко, А.В. Осипов, Г.В. Святец, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников. Письма в ЖТФ 47, 3 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877
- П.В. Середин, Д.Л. Голощапов, Д.С. Золотухин, А.С. Леньшин, А.М. Мизеров, С.Н. Тимошнев, Е.В. Никитина, И.Н. Арсентьев, С.А. Кукушкин. ФТП 54, 346 (2020). DOI: 10.21883/ftp.2020.04.49138.9323
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев. ФТТ 59, 660 (2017). DOI: 10.21883/ftt.2017.04.44266.287
- S. Yamada, J.I. Kato, S. Tanaka, I. Suemune, A. Avramescu, Y. Aoyagi, N. Teraguchi, A. Suzuki. Appl. Phys. Lett. 78, 3612 (2001). DOI: 10.1063/1.1377309
- S. Kitagawa, H. Miyake, K. Hiramatsu. Jpn. J. Appl. Phys. 53, 05FL03 (2014). DOI: 10.7567/JJAP.53.05FL03
- S. Tanaka, R.S. Kern, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett. 66, 37 (1995). DOI: 10.1063/1.114173
- W.D. Kaplan, D. Chatain, P. Wynblatt, W.C. Carter. J. Mater. Sci. 48, 5681 (2013). DOI: 10.1007/s10853-013-7462-y
- V. Jindal, F. Shahedipour-Sandvik. J. Appl. Phys. 106, 083115 (2009). DOI: 10.1063/1.3253575
- D. Holec, P.H. Mayrhofer. Scr. Mater. 67, 760 (2012). DOI: 10.1016/j.scriptamat.2012.07.027
- V. Jindal, F. Shahedipour-Sandvik. J. Appl. Phys. 105, 084902 (2009). DOI: 10.1063/1.3106164
- Р.С. Телятник, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ 57, 153 (2015). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/41236
- V.G. Dubrovskii. Nucleation Theory and Growth of Nanostructures. Springer Berlin-Heidelberg (2014). 601 p
- T. Takai, T. Haliciov glu, W.A. Tiller. Surf. Sci. 164, 341 (1985). DOI: 10.1016/0039-6028(85)90751-4
- D. Kashchiev. J. Cryst. Growth 40, 29 (1977). DOI: 10.1016/0022-0248(77)90029-X
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998). DOI: 10.3367/UFNr.0168.199810b.1083
- L.E. McNeil, M. Grimsditch, R.H. French. J. Am. Ceram. Soc. 76, 1132 (1993). DOI: 10.1111/j.1151-2916.1993.tb03730.x
- M.W. Chase. NIST-JANAF Thermochemical Tables. American Institute of Physics, N.Y. (1998). 1951 p
- П.В. Середин, Д.Л. Голощапов, Д.С. Золотухин, А.С. Леньшин, Ю.Ю. Худяков, А.М. Мизеров, С.Н. Тимошнев, И.Н. Арсентьев, А.Н. Бельтюков, H. Leiste, С.А. Кукушкин. ФТП 54, 491 (2020). DOI: 10.21883/FTT.2022.01.51840.209
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.N. Bessolov, B.K. Medvedev, V.K. Nevolin, K.A. Tcarik. Rev. Adv. Mater. Sci. 17, 1 (2008). 8.611 https://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no\_11708/kukushkin.pdf.
- S.A. Kukushkin, T.V. Sakalo. Acta Met. Mater. 41, 1237 (1993). DOI: 10.1016/0956-7151(93)90173-P
- S.A. Kukushkin, T.V. Sakalo. Acta Met. Mater. 42, 2797 (1994). DOI: 10.1016/0956-7151(94)90220-8
- T.V. Sakalo, S.A. Kukushkin. Appl. Surf. Sci. 92, 350 (1996). DOI: 10.1016/0169-4332(95)00254-5
- B. Dzuba, T. Nguyen, Y. Cao, R.E. Diaz, M.J. Manfra, O. Malis. J. Appl. Phys. 130, 105702 (2021). DOI: 10.1063/5.0058154
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.