Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
К вопросу о влиянии неоднородного диэлектрического покрытия на характеристики металлической поверхности
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.01.52498.187 
1Национальный университет "Запорожская политехника", Запорожье, Украина 
Email: vpogosov@zntu.edu.ua
Поступила в редакцию: 9 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 6 сентября 2021 г.
Принята к печати: 11 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2021 г.
В рамках квантовостатистичекого функционала и метода Ритца рассмотрена задача по нахождению удельной поверхностной энергии и работы выхода электронов металлической плоской поверхности с неоднородным диэлектрическим покрытием, учтенным в приближении сплошной среды. Для однородного покрытия расчетные величины нечувствительны к выбору однопараметрических функций для электронного профиля, но чувствительны к градиентному ряду кинетической энергии невзаимодействующих электронов. Вычисления выполнены для Al, Na и проведено сравнение с расчетами методом Кона-Шема. Аналитически установлена связь теории метода Ритца для неоднородных покрытий с расчетами методом Кона-Шема [ФТТ 55, 177 (2013)] поверхностной энергии и работы выхода электронов для металл-диэлектрических наносандвичей. Предлагается влияние неоднородности покрытия оценивать масштабированием характеристик металлической поверхности с однородным покрытием. Обсуждается возможность применения полученных результатов в различных экспериментальных ситуациях. Ключевые слова: работа выхода, барьер Шоттки, диэлектрическое покрытие.
- E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson, L.V. Goncharova. J. Appl. Phys. 111, 034307 (2012)
- M. Liu, Y. Han, L. Tang, J.-F. Jia, Q.-K. Xue, F. Liu. Phys. Rev. B 86, 125427 (2012)
- R.Y. Liu, A. Huang, C.C. Huang, C.-Y. Lee, C.-H. Lin, C.-M. Cheng, K.-D. Tsuei, H.-T. Jeng, I. Matsuda, S.-J. Tang. Phys. Rev. B 92, 115415 (2015)
- P.M. Dinh, P.-G. Reinhard, E. Suraud. Phys. Rep. 485, 43 (2010)
- В.В. Погосов, А.В. Бабич, П.В. Вакула, А.Г. Кравцова. ЖТФ 81, 11, 150 (2011)
- А.В. Бабич, В.В. Погосов. ФТТ 55, 177 (2013)
- В.В. Погосов, А.В. Бабич, П.В. Вакула. ФТТ 55, 2004 (2013)
- S. Prada, U. Martinez, G. Pacchioni. Phys. Rev. B 78, 235423 (2008)
- R.T. Tung. Appl. Phys. Rev. 1, 011304 (2014)
- N.W. Ashcroft, N.D. Mermin. Solid State Physics. Holt, Rinehart and Winston, N. Y. (1976). Part 18 (Fig. 18.3)
- C.J. Fall. Ph.D. Dissertation. Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (1999)
- V.V. Pogosov, V.P. Kurbatsky. ЖЭТФ 119, 350 (2001)
- C.J. Fall, N. Binggeli, A. Baldereschi. Phys. Rev. Lett. 88, 156802 (2002)
- A.V. Babich, V.V. Pogosov. Surf. Sci. 603, 2393 (2009)
- L. Gao, J. Souto-Casares, J.R. Chelikowsky, A.A. Demkov. J. Chem. Phys. 147, 214301 (2017)
- В.А. Тиньков. Успехи физ. мет. 7, 117 (2006)
- I.T. Iakubov, A.G. Khrapak, L.I. Podlubny, V.V. Pogosov. Solid State Commun. 53, 427 (1985)
- R. Smoluchowski. Phys. Rev. 60, 661 (1941)
- J.R. Smith. Phys. Rev. 181, 522 (1969)
- C.H. Hodges. Can. J. Phys. 51, 1428 (1973)
- J.P. Perdew, H.Q. Tran, E.D. Smith. Phys. Rev. B 42, 11627 (1990)
- В.В. Погосов. ФТТ 61, 224 (2019)
- K. Hirabayashi. Phys. Rev. B 3, 4023 (1971)
- В.В. Батыгин, И.Н. Топтыгин. Сб. задач по элетродинамике и специальной теории относительности. Лань, С.-Петербург--Москва--Краснодар (2010). 480 с
- V.V. Pogosov. Chem. Phys. Lett. 193 473 (1992)
- V.G. Zavodinsky, I.A. Kuyanov. Superlattice. Microst., 24, 55 (1998)
- Э.Э. Шпильрайн, К.А. Якимович, Е.Е. Тоцкий, Д.Л. Тимпорт, В.А. Фомин Теплофизические свойства щелочных металлов. Изд-во стандартов, М. (1970). 487 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
