Радиационная обработка краев трещины сверхпроводящего слоя при реставрации ВТСП-ленты
RFBR and ROSATOM, 20-21-00085
Подливаев А.И.1,2, Руднев И.А.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Научно-исследовательский институт проблем развития научно-образовательного потенциала молодежи, Москва, Россия
Email: AIPodlivayev@mephi.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2021 г.
В окончательной редакции: 8 ноября 2021 г.
Принята к печати: 9 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2021 г.
Численно, в рамках модели критического состояния определена плотность сверхпроводящих токов в ВТСП-ленте второго поколения на основе GdBa2Cu3O7-x. Показано, что при реставрации поперечной трещины сверхпроводящего слоя путем шунтирования трещины отрезком бездефектной ленты, критический ток реставрированного участка уменьшается на ~ 8%. Показано, что предварительное радиационное облучение краев трещины ионами водорода, гелия, неона и кислорода позволяет восстановить первоначальное значение критического тока. Расчет воздействия излучения на сверхпроводящую ленту проводился с использованием комплекса программ SRIM. Ключевые слова: высокотемпературный сверхпроводник, облучение, радиационные дефекты, критический ток.
- N. Habercorn, S. Suarez, Jae-Hun Lee, S.H. Moon, Hunju Lee. Solid State Commun. 289, 51 (2019)
- D.X. Fisher, R. Procopes, J. Emhofer, M. Eisterer. Supercond. Sci. Technol. 31, 044006 (2018)
- А.В. Троицкий, Т.Е. Демихов, Л.Х. Антонова, С.А. Кузьмичев, В.А. Скуратов, В.К. Семина, Г.Н. Михайлова. ФММ 120, 143 (2019)
- В.В. Деревянко, Т.В. Сухарева, В.А. Финкель. ФТТ 60, 465 (2018)
- I. Rudnev, A. Mareeva, N. Mineev, S. Pokrovskiy, A. Sotnikova. J. Phys.: Conf. Ser. 507, 0220 (2014)
- Д.В. Сотников. Исследование токонесущих свойств перспективных высокотемпературных сверхпроводящих материалов для электротехнических устройств. Дис. канд. тех. наук. ОАО ВНИИКП. Москва (2016). 126 с. 8.712 https://www.vniikp.ru/media/documents/ Dissertation\_Sotnikov\_ DV.pdf
- P. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. Sect. B 74, 257 (1980). WWW.srim.org
- П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, К.А. Дмитриева, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков. ФТТ 61, 2, 234 (2019)
- А.Н. Максимова, В.А. Кашурников, А.Н. Мороз, И.А. Руднев. ФТТ 63, 1, 65 (2021)
- А.И. Подливаев, И.А. Руднев. ФТТ 63, 6, 712 (2021)
- А.И. Подливаев, И.А. Руднев. ФТТ 63, 10, 1514 (2021)
- А.И. Подливаев, И.А. Руднев. ФТТ 64, 2, 161 (2022)
- Л.Х. Антонова, А.В. Троицкий, Г.Н. Михайлова, Т.Е. Демихов, С.В. Самойленков, А.А. Молодык, J. Noudem, P. Bernstein. Кр. сообщения по физике 44, 16 (2017). DOI: 10.3103/S1068335617030034
- A.I. Podlivaev, I.A. Rudnev, N.P. Shabanova. Bull. Lebedev Phys. Institute 41, 351 (2014)
- Th. Schuster, H. Kuhn, E.H. Brandt, M.V. Indenbom, M. Klaser, G. Muller-Vogt, H.U. Habermeier, H. Kronmuller, A. Forkl. Phys. Rev. B 52, 10375 (1995)
- G. Iannone, S. Farinon, G. De Marzi, P. Fabricattore, U. Gambardella. IEEE Trans. Appl. Supercond. 25, 8200107 (2015)
- A.I. Podlivaev, I.F. Rudnev. Supercond. Sci. Technol. 30, 035021 (2017). doi.org/10.1088/1361-6668/aa55aa
- I.A. Rudnev, A.I. Podlivaev. IEEE Trans. Appl. Supercond. 26, 8200104 (2016)
- F. Li, S.S. Wang, P. Zhao, S. Muhammad, X.Y. Le, Z.S. Xiao, L.X. Jiang, X.D. Ou, X.P. Ouang. Phys. Scr. 94, 105820 (2019)
- V. Bartunv ek, J.L. Perez-Diaz, T. Hlasek, L. Viererbl, H.A. Vratislavska. Ceram. Int. 46, 15400 (2020)
- S.K. Tolpygo, J.-Y. Lin, M. Gurvitch, S.Y. Hou, J.M. Phillips. Phys. Rev. B 53, 12462 (1996)
- A. Legris, F. Rullier-Albenque, E. Radeva, P. Lejay. J. Phys. France 3, 1605 (1993)
- Н.Н. Дегтяренко, В.Ф. Елесин, В.Л. Мельников. ЖТФ 65, 78 (1995)
- A. Khobnya, M.E. Pek, G. Greaves, M. Danaie, G.D. Brittles, S.E. Donnelly, F. Schoofs, A. Reilly, P.D. Edmondson, S. Pedrazzini. arXiv:1810.10477v3 [cond-mat.mtrl-sci]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.