Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование этапов превращения кремния в карбид кремния в процессе атомного замещения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и рентгеновской дифрактомерии
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.03.54010.232 
РНФ, 20-12-00193
Кукушкин С.А.
1, Осипов А.В.
1, Осипова Е.В.
1, Стожаров В.М.2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
2OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 ноября 2021 г.
В окончательной редакции: 3 ноября 2021 г.
Принята к печати: 4 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2021 г.
Методами рентгеновской дифракции и полного внешнего отражения рентгеновских лучей (рефлектометрии) исследованы последовательные стадии синтеза эпитаксиальных пленок SiC на поверхностях Si (100), (110) и (111) методом замещения атомов. Изучены данные об эволюции превращения поверхностей (100), (110) и (111) Si, в поверхности SiC. Выполнен сравнительный анализ ренгеноструктурного качества слоев SiC, выращенных на Si методом замещения атомов, с качеством слоев SiC, выращенных фирмой Advanced Epi стандартным CVD-методом. Описывается модифицированная методика метода полного внешнего отражения рентгеновских лучей, основанная на измерениях интенсивности отраженных рентгеновских лучей при помощи специального параболического зеркала. Показано, что метод полного внешнего отражения позволяет получить важную информацию о степени шероховатости поверхности слоев SiC, эволюции их кристаллической структуры и энергии плазмонов в процессе превращения Si в SiC. Ключевые слова: полное внешнее отражение, рентгеновская рефлектометрия, карбид кремния, плазмоны.
- P.F. Fewster Rep. Prog. Phys. 59, 1339 (1996). DOI: 10.1088/0034-4885/59/11/001
- М.А. Щербина, С.Н. Чвалун, С.А. Пономаренко, М.В. Ковальчук. Успехи химии. 83, 12, 1091 (2014). http://dx.doi.org/10.1070/RCR4485?locatt=label:RUSSIAN
- B.E. Асадчиков, E.E. Андреев, A.B. Виноградов, А.Ю. Карабеков, И.В. Кожевников, Ю.С. Кривоносов, А.А. Постиов, С.И. Сагитов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 7, 17 (1998)
- М.В. Ковальчук, В.Г. Кон. УФН 149, 69 (1986)
- D.K.G. de Boer. Phys. Rev. B 51, 5297 (1995)
- Р. Джеймс. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. Из-во ИЛ, М.(1950). 572 c. [R. James. Optical Principles of the Diffraction of X-Rays. Ox Bow Pr (1982). ISBN-10: 0918024234]
- П. Чижов, Э. Левин, А. Митяев, А. Тимофеев. Приборы и методы рентгеновской дифракции. Можайский полиграф. комбинат, Можайск (2011). 151 с
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Электродинамика сплошных сред. Наука, М. (1992). Т. VIII. 663 с
- В.М. Стожаров. ЖТФ 87, 125 (2017)
- В.М. Стожаров, В.П. Пронин. ЖТФ 87, 1901 (2017)
- В.М. Стожаров. ЖТФ 89, 1042 (2019)
- В.М. Стожаров. ЖТФ 90, 1116 (2020)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014). DOI:10.1088/0022-3727/47/31/313001
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, I.P. Soshnikov. Rev. Adv. Mater. Sci. 52, 29 (2017)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D. 50, 464006 (2017)
- С.А. Кукушкин, К.Х. Нусупов, А.В. Осипов, Н.Б. Бейсенханов, Д.И. Бакранова. ФТТ 59, 986 (2017)
- S.A. Kukushkin, K.Kh. Nussupov, A.V. Osipov, N.B. Beisenkhanov, D.I. Bakranova. Superlat. Microstruct. 111, 899 (2017)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 43, 81 (2017). DOI: 10.21883/FTT.2022.03.52093.232
- С.Г. Жуков, C.A. Кукушкин, A.B. Лукьянов, A.B. Oсипов, H.A. Феоктистов. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности. Патент N 2522812 РФ от 21.05.2014
- А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 61, 2313 (2019). DOI: 10.1134/S106378341912014X
- М.В. Давидович. Оптика и спектроскопия 126, 3, 360 (2019). DOI: 10.21883/FTT.2022.03.52093.232
- Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. Мир, М. (1966). 315 с
- П. Гроссе. Свободные электроны в твердых телах. Мир, М. (1982). 470 с
- В.А. Волков. Плазмоны и магнитоплазмоны. ИРЭ РАН, М. (2019). С. 1-7
- И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969). 174 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
