Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Новые центры рекомбинации в слоях КРТ МЛЭ на подложках (013) GaAs
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.01.54974.466 
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-20053
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 21-52-12015
Volkswagen Fund , 97738
Министерство образования и науки Российской Федерации, АААА-А20-120102190007-5
Дворецкий С.А.1, Ступак М.Ф.2, Михайлов Н.Н.1, Варавин В.С.1, Ремесник В.Г.1, Макаров С.Н.2, Елесин А.Г.2, Верхогляд А.Г.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
2Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: dvor@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, remesnik@isp.nsc.ru, makarovsn@tdisie.nsc.ru, elesin.andrei@tdisie.nsc.ru, verhoglyad@tdisie.nsc.ru
Поступила в редакцию: 31 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 31 августа 2022 г.
Принята к печати: 6 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
Наблюдается большая неоднородность времени жизни неосновных носителей заряда от 1 до 10 μs при 77 K по площади в некоторых экспериментах при выращивании высококачественных слоев HgCdTe электронного типа проводимости на подложках из GaAs диаметром 76.2 mm c ориентацией (013) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Как правило, такие времена определяются рекомбинацией носителей на центрах Шокли-Холла-Рида (ШХР). Современные исследования и представления природы ШХР-центров не позволяют объяснить наблюдаемые результаты. Проведенные измерения слоев HgCdTe методом второй гармоники отраженного лазерного излучения показали существование квазипериодического изменения сигнала в минимумах азимутальной зависимости, которое связывается с появлением разориентированных микроучастков кристаллической структуры. Амплитуда квазипериодического изменения сигнала уменьшается с увеличением времени жизни и полностью исчезает для областей с высокими значениями времени жизни. Аналогичные зависимости наблюдаются при травлении слоев HgCdTe, что свидетельствует о существовании разориентированных микроучастков во объеме. Таким образом, разориентированные микроучастки кристаллической структуры оказывают существенное влияние на время жизни и являются новыми центрами рекомбинации Шокли-Холла-Рида. Ключевые слова: слои HgCdTe, время жизни, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, рекомбинационные центры, разориентированные микроучастки.
- W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev. 2, 041303 (2015). DOI: 10.1063/1.4936577
- В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.В. Латышев. Автометрия 56, 5, 12 (2020). DOI: 10.15372/AUT20200502
- D. K. Arch, R. A. Wood, D. L. Smitha. J. Appl. Phys. 58, 2360 (1985). DOI: 10.1063/1.33595
- C.A. Musca, J.F. Siliquini, G. Parish, J.M. Dell, L. Faraone. J. Cryst. Growth 184-185, 1284 (1998), DOI: 10.1016/S0022-0248(98)80266-2
- А.В. Филатов, Е.В. Сусов, Н.М. Акимова, В.В. Карпов, В.И. Шаевич. Успехи прикладной физики 3, 2, 96 (2015). PACS: 85.60.Dw
- А.В. Филатов, Е.В. Сусов, В.В. Карпов, А.В. Гусаров. Успехи прикладной физики 9, 2, 112 (2021). DOI: 10.51368/2307-4469-2021-9-2-112-127
- L. Mollard, G. Destefanis, N. Baier, J. Rothman, P. Ballet, J.P. Zanatta, M. Tchagaspanian, A.M. Papon, G. Bourgeois, J.P. Barnes. J. Electron. Mater. 38, 9, 1805 (2009). DOI: 10.1007/s11664-009-0829-9
- D. Eich, W. Schirmacher, S. Hanna, K.M. Mahlein, P. Fries, H. Figgemeier. J. Electron. Mater. 46, 9, 5448 (2017). DOI: 10.1007/s11664-017-5596-4
- A.P. Kovchavtsev, A.A. Guzev, A.V. Tsarenko, Z.V. Panova, M.V. Yakushev, D.V. Marin, V.S. Varavin, V.V. Vasilyev, S.A. Dvoretsky, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov. Infrared Phys. Technol. 73, 312 (2015). DOI: 10.1016/j.infrared.2015.09.026
- V.S. Varavin, I.V. Sabinina, G.Yu. Sidorov, D.V. Marin, V.G. Remesnik, A.V. Predein, S.A. Dvoretsky, V.V. Vasilyev, Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev, A.V. Latyshev. Infrared Phys. Technol. 105, 103182 (2020). DOI: 10.1016/j.infrared.2019.103182
- G. Destefanis, J. Baylet, P. Ballet, P. Castelein, F. Rothan, O. Gravrand, J. Rothman, J.P. Chamonal, A. Million. J. Electron. Mater. 36, 8, 1031 (2007). DOI: 10.1007/s11664-007-0168-7
- A. Rogalski. Infrared detector. 2 nd ed. CRC Press. Tayor\& Francis Group, NW. (2011). 876 с
- V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol. 8, 6S, 824 (1993), DOI: 10.1088/0268-1242/8/6S/006
- A. Rogalski. Rep. Prog. Phys. 68, 10, 2267 (2005). DOI: 10.1088/0034-4885/68/10/R01
- T. Yamamoto, H. Sakai, K. Tanikawa. J. Cryst. Growth 72, 1-2, 270 (1985). DOI: 10.1016/0022-0248(85)90156-3
- S.H. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, R.E. DeWames. Appl. Phys. Lett. 59, 2718 (1991). DOI: 10.1063/1.105895
- K. Jowikowski, A. Rogalski. J. Electron. Mater. 29, 6, 736 (2000). DOI: 10.1007/s11664-000-0217-y
- R. Pal, R.K. Bhan, K.C. Chhabra, O.P Agnihotri. Semicond. Sci. Technol. 11, 231, (1996). DOI: 10.1088/0268-1242/11/2/015
- V. Kumar, R. Pal, P. K. Chaudhury, B. L. Sharma, V. Gopal. J. Electron. Mater. 34, 9, 1225 (2005). DOI: 10.1007/s11664-005-0267-2
- C.A. Musca, J.F. Siliquini, K.A. Fynn, B.D. Nener, L. Faraone, S.J.C. Irvine. Semicond. Sci. Technol. 11, 12, 1912 (1996). DOI: 0.1088/0268-1242/11/12/025
- В.М. Осадчий, А.О. Сусляков, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий. Автометрия 4, 71 (1998)
- А.В. Войцеховский, Ю.А. Денисов, А.П. Коханенко, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Автометрия 4, 47 (1998)
- D.D. Edwall, M. Zandian, A.C. Chen, J.M. Arias. J. Electron. Mater. 26, 6, 493 (1997). DOI: 10.1007/s11664-997-0183-8
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП 35, 9, 1092 (2001).
- C.H. Swatz, R.P. Tompkins, N.C. Giles, T.H. Myers, D.D. Edwall, J. Ellworth, E. Piquette, J. Arias, M. Berding, S. Krushnamurthy, I. Vurgftman, J.R. Meyer. J. Electron. Mater. 33, 6, 728 (2004). DOI: 10.1007/s11664-004-0074-1
- В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. ФТП 42, 6, 664 (2008). PACS: 61.72.Vv, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.15.Hi
- O. Garland. Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications. Wiley \& Sons Ltd., West Susses (2011). P. 131
- C. E. Jones, K. James, J. Merz, R. Braunstein, M. Burd, M. Eetemadi, S. Hutton, J. Drumheller. J. Vac. Sci. Tech. A3, 131 (1985). DOI: 10.1116/1.573184
- Yue Fang-Yu, Ma Su-Yu, Hong Jin, Yang Ping-Xiong, Jing Cheng-Bin, Chen Ye, Chu Jun-Hao. Chin. Phys. B 28, 1, 017104 (2019)
- С.А. Дворецкий, М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. Автометрия 57, 5, 18 (2021). DOI: 10.15372/AUT20210503
- М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев, Д.Г. Икусов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ФТТ 62, 2, 214 (2020). DOI: 10.21883/FTT.2023.01.53923.466
- В.С. Варавин, А.Ф. Кравченко, Ю.Г. Сидоров. ФТП 35, 9, 1036 (2001)
- А.В. Вишняков, В.С. Варавин, М.О. Грифиллин, А.В. Предеин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. Автометрия 45, 4, 32 (2009)
- П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токарев. ФТП 38, 9, 1044 (2004)
- М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ЖТФ 91, 11, 1799 (2021)
- В.В. Баланюк, В.Ф. Краснов, С.Л. Мушер, В.И. Проц, В.Э. Рябченко, С.А. Стоянов, С.Г. Струц, М.Ф. Ступак, В.С. Сыскин. Квантовая электрон. 22, 2, 196 (1995)
- П.Е. Бережная, М.Ф. Ступак. Автометрия 39, 5, 128 (2003)
- Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, К.С. Журавлев, А.А. Ковалев, С.А. Кочубей, Д.В. Ледовских, Т.В. Малин, Н.Н. Рубцова. Сиб. физ журн. 13, 2, 64 (2018). DOI: 10.25205/2541-9447-2018-13
- С.А. Ахманов, В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев, В.В. Семиногов. УФН 147, 12, 675 (1985). DOI: 10.3367/UFNr.0147.198512b.0675
- T.F. Heinz. Nonlinear Surface Electromagnetic Phenomena. North Holland Pub. (1991). P. 353
- H.R. Vydyanath. J. Electron. Mater. 24, 9, 1275 (1995). DOI: 10.1007/BF02653085
- L. He, Y. Wu, L. Chen, S.L. Wang, M.F. Yu, Y.M. Qiao, J.R. Yang, Y.J. Li, R.J. Ding, Q.Y. Zhang. J. Cryst. Growth 227-228, 677 (2001). DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00801-6
- Y. S. Ryu, B. S. Song, T.W. Kang, T.W. Kim. J. Mater. Sci. 39, 1147 (2004). DOI: 10.1023/B:JMSC.0000012966.19192.85
- Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, И.В. Сабинина, И.Д. Лошкарев. ФТТ 57, 11, 2095 (2015).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
