Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2023, выпуск 1 » Статья стр. 56
<<<>>>
Новые центры рекомбинации в слоях КРТ МЛЭ на подложках (013) GaAs
DOI: 10.21883/FTT.2023.01.53923.466
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.01.54974.466
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-20053
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 21-52-12015
Volkswagen Fund , 97738
Министерство образования и науки Российской Федерации, АААА-А20-120102190007-5
Дворецкий С.А.1, Ступак М.Ф.2, Михайлов Н.Н.1, Варавин В.С.1, Ремесник В.Г.1, Макаров С.Н.2, Елесин А.Г.2, Верхогляд А.Г.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: dvor@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, remesnik@isp.nsc.ru, makarovsn@tdisie.nsc.ru, elesin.andrei@tdisie.nsc.ru, verhoglyad@tdisie.nsc.ru
Поступила в редакцию: 31 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 31 августа 2022 г.
Принята к печати: 6 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
PDF версия
Наблюдается большая неоднородность времени жизни неосновных носителей заряда от 1 до 10 μs при 77 K по площади в некоторых экспериментах при выращивании высококачественных слоев HgCdTe электронного типа проводимости на подложках из GaAs диаметром 76.2 mm c ориентацией (013) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Как правило, такие времена определяются рекомбинацией носителей на центрах Шокли-Холла-Рида (ШХР). Современные исследования и представления природы ШХР-центров не позволяют объяснить наблюдаемые результаты. Проведенные измерения слоев HgCdTe методом второй гармоники отраженного лазерного излучения показали существование квазипериодического изменения сигнала в минимумах азимутальной зависимости, которое связывается с появлением разориентированных микроучастков кристаллической структуры. Амплитуда квазипериодического изменения сигнала уменьшается с увеличением времени жизни и полностью исчезает для областей с высокими значениями времени жизни. Аналогичные зависимости наблюдаются при травлении слоев HgCdTe, что свидетельствует о существовании разориентированных микроучастков во объеме. Таким образом, разориентированные микроучастки кристаллической структуры оказывают существенное влияние на время жизни и являются новыми центрами рекомбинации Шокли-Холла-Рида. Ключевые слова: слои HgCdTe, время жизни, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, рекомбинационные центры, разориентированные микроучастки.
  1. W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev. 2, 041303 (2015). DOI: 10.1063/1.4936577
  2. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.В. Латышев. Автометрия 56, 5, 12 (2020). DOI: 10.15372/AUT20200502
  3. D. K. Arch, R. A. Wood, D. L. Smitha. J. Appl. Phys. 58, 2360 (1985). DOI: 10.1063/1.33595
  4. C.A. Musca, J.F. Siliquini, G. Parish, J.M. Dell, L. Faraone. J. Cryst. Growth 184-185, 1284 (1998), DOI: 10.1016/S0022-0248(98)80266-2
  5. А.В. Филатов, Е.В. Сусов, Н.М. Акимова, В.В. Карпов, В.И. Шаевич. Успехи прикладной физики 3, 2, 96 (2015). PACS: 85.60.Dw
  6. А.В. Филатов, Е.В. Сусов, В.В. Карпов, А.В. Гусаров. Успехи прикладной физики 9, 2, 112 (2021). DOI: 10.51368/2307-4469-2021-9-2-112-127
  7. L. Mollard, G. Destefanis, N. Baier, J. Rothman, P. Ballet, J.P. Zanatta, M. Tchagaspanian, A.M. Papon, G. Bourgeois, J.P. Barnes. J. Electron. Mater. 38, 9, 1805 (2009). DOI: 10.1007/s11664-009-0829-9
  8. D. Eich, W. Schirmacher, S. Hanna, K.M. Mahlein, P. Fries, H. Figgemeier. J. Electron. Mater. 46, 9, 5448 (2017). DOI: 10.1007/s11664-017-5596-4
  9. A.P. Kovchavtsev, A.A. Guzev, A.V. Tsarenko, Z.V. Panova, M.V. Yakushev, D.V. Marin, V.S. Varavin, V.V. Vasilyev, S.A. Dvoretsky, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov. Infrared Phys. Technol. 73, 312 (2015). DOI: 10.1016/j.infrared.2015.09.026
  10. V.S. Varavin, I.V. Sabinina, G.Yu. Sidorov, D.V. Marin, V.G. Remesnik, A.V. Predein, S.A. Dvoretsky, V.V. Vasilyev, Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev, A.V. Latyshev. Infrared Phys. Technol. 105, 103182 (2020). DOI: 10.1016/j.infrared.2019.103182
  11. G. Destefanis, J. Baylet, P. Ballet, P. Castelein, F. Rothan, O. Gravrand, J. Rothman, J.P. Chamonal, A. Million. J. Electron. Mater. 36, 8, 1031 (2007). DOI: 10.1007/s11664-007-0168-7
  12. A. Rogalski. Infrared detector. 2 nd ed. CRC Press. Tayor\& Francis Group, NW. (2011). 876 с
  13. V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol. 8, 6S, 824 (1993), DOI: 10.1088/0268-1242/8/6S/006
  14. A. Rogalski. Rep. Prog. Phys. 68, 10, 2267 (2005). DOI: 10.1088/0034-4885/68/10/R01
  15. T. Yamamoto, H. Sakai, K. Tanikawa. J. Cryst. Growth 72, 1-2, 270 (1985). DOI: 10.1016/0022-0248(85)90156-3
  16. S.H. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, R.E. DeWames. Appl. Phys. Lett. 59, 2718 (1991). DOI: 10.1063/1.105895
  17. K. Jowikowski, A. Rogalski. J. Electron. Mater. 29, 6, 736 (2000). DOI: 10.1007/s11664-000-0217-y
  18. R. Pal, R.K. Bhan, K.C. Chhabra, O.P Agnihotri. Semicond. Sci. Technol. 11, 231, (1996). DOI: 10.1088/0268-1242/11/2/015
  19. V. Kumar, R. Pal, P. K. Chaudhury, B. L. Sharma, V. Gopal. J. Electron. Mater. 34, 9, 1225 (2005). DOI: 10.1007/s11664-005-0267-2
  20. C.A. Musca, J.F. Siliquini, K.A. Fynn, B.D. Nener, L. Faraone, S.J.C. Irvine. Semicond. Sci. Technol. 11, 12, 1912 (1996). DOI: 0.1088/0268-1242/11/12/025
  21. В.М. Осадчий, А.О. Сусляков, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий. Автометрия 4, 71 (1998)
  22. А.В. Войцеховский, Ю.А. Денисов, А.П. Коханенко, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Автометрия 4, 47 (1998)
  23. D.D. Edwall, M. Zandian, A.C. Chen, J.M. Arias. J. Electron. Mater. 26, 6, 493 (1997). DOI: 10.1007/s11664-997-0183-8
  24. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП 35, 9, 1092 (2001).
  25. C.H. Swatz, R.P. Tompkins, N.C. Giles, T.H. Myers, D.D. Edwall, J. Ellworth, E. Piquette, J. Arias, M. Berding, S. Krushnamurthy, I. Vurgftman, J.R. Meyer. J. Electron. Mater. 33, 6, 728 (2004). DOI: 10.1007/s11664-004-0074-1
  26. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. ФТП 42, 6, 664 (2008). PACS: 61.72.Vv, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.15.Hi
  27. O. Garland. Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications. Wiley \& Sons Ltd., West Susses (2011). P. 131
  28. C. E. Jones, K. James, J. Merz, R. Braunstein, M. Burd, M. Eetemadi, S. Hutton, J. Drumheller. J. Vac. Sci. Tech. A3, 131 (1985). DOI: 10.1116/1.573184
  29. Yue Fang-Yu, Ma Su-Yu, Hong Jin, Yang Ping-Xiong, Jing Cheng-Bin, Chen Ye, Chu Jun-Hao. Chin. Phys. B 28, 1, 017104 (2019)
  30. С.А. Дворецкий, М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. Автометрия 57, 5, 18 (2021). DOI: 10.15372/AUT20210503
  31. М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев, Д.Г. Икусов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ФТТ 62, 2, 214 (2020). DOI: 10.21883/FTT.2023.01.53923.466
  32. В.С. Варавин, А.Ф. Кравченко, Ю.Г. Сидоров. ФТП 35, 9, 1036 (2001)
  33. А.В. Вишняков, В.С. Варавин, М.О. Грифиллин, А.В. Предеин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. Автометрия 45, 4, 32 (2009)
  34. П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токарев. ФТП 38, 9, 1044 (2004)
  35. М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ЖТФ 91, 11, 1799 (2021)
  36. В.В. Баланюк, В.Ф. Краснов, С.Л. Мушер, В.И. Проц, В.Э. Рябченко, С.А. Стоянов, С.Г. Струц, М.Ф. Ступак, В.С. Сыскин. Квантовая электрон. 22, 2, 196 (1995)
  37. П.Е. Бережная, М.Ф. Ступак. Автометрия 39, 5, 128 (2003)
  38. Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, К.С. Журавлев, А.А. Ковалев, С.А. Кочубей, Д.В. Ледовских, Т.В. Малин, Н.Н. Рубцова. Сиб. физ журн. 13, 2, 64 (2018). DOI: 10.25205/2541-9447-2018-13
  39. С.А. Ахманов, В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев, В.В. Семиногов. УФН 147, 12, 675 (1985). DOI: 10.3367/UFNr.0147.198512b.0675
  40. T.F. Heinz. Nonlinear Surface Electromagnetic Phenomena. North Holland Pub. (1991). P. 353
  41. H.R. Vydyanath. J. Electron. Mater. 24, 9, 1275 (1995). DOI: 10.1007/BF02653085
  42. L. He, Y. Wu, L. Chen, S.L. Wang, M.F. Yu, Y.M. Qiao, J.R. Yang, Y.J. Li, R.J. Ding, Q.Y. Zhang. J. Cryst. Growth 227-228, 677 (2001). DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00801-6
  43. Y. S. Ryu, B. S. Song, T.W. Kang, T.W. Kim. J. Mater. Sci. 39, 1147 (2004). DOI: 10.1023/B:JMSC.0000012966.19192.85
  44. Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, И.В. Сабинина, И.Д. Лошкарев. ФТТ 57, 11, 2095 (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme