Особенности поведения высокочастотной проводимости неупорядоченных полупроводников с ростом температуры
Ормонт М.А.1, Валенко Н.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: ormont.73@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 2 июня 2023 г.
Принята к печати: 3 июня 2023 г.
Выставление онлайн: 1 июля 2023 г.
Исследованы особенности поведения высокочастотной проводимости неупорядоченных полупроводников с ростом температуры, связанные с прыжковым транспортом электронов по примесной зоне. В рамках парного приближения показано, что наблюдаемый при низких температурах (T~1 K) в терагерцовом диапазоне частот переход от почти линейной к квадратичной частотной зависимости вещественной части проводимости с ростом температуры может сохраняться и обуславливаться переходом от релаксационной проводимости с переменной (зависящей от частоты) длиной прыжка к бесфононной проводимости с постоянной длиной прыжка с ростом частоты. Ключевые слова: прыжковая проводимость, универсальность частотной зависимости проводимости, бесфононная проводимость.
- H. Bottger, V.V. Bryksin. Hopping Conduction in Solids. VCH Akademie Verlag, Berlin (1985). 398 p
- I.P. Zvyagin. In: Charge Transport in Disordered Solids with Applications in Electronics / Ed. S. Baranovski. John Wiley \& Sons, Chichester (2006). Ch. 9. P. 339
- E. Helgren, N.P. Armitage, G. Gruner. Phys. Rev. B 69, 1, 014201 (2004); E. Helgren, N.P. Armitage, G. Gruner. Phys. Rev. Lett. 89, 24, 246601 (2002)
- M. Hering, M. Scheffler, M. Dressel, H.v. Lohneysen. Phys. Rev. B 75, 20, 205203 (2007); M. Hering, M. Scheffler, M. Dressel, H.v. Lohneysen. Physica B 359-361, 1469 (2005)
- M. Lee, M.L. Stutzmann. Phys. Rev. Lett. 87, 5, 056402 (2001)
- A.L. Efros. Phil. Mag. B 43, 5, 829 (1981)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ 81, 1, 406 (1981). [B.I. Shklovskii, A.L. Efros. JETP 54, 1, 218 (1981).]
- A.L. Efros, B.I.`Shklovskii. In: Electron-Electron Interactions in Disordered Systems / Eds A.L. Efros, M. Pollak. North Holland, Elsevier Science Publishers B.V., Amsterdam (1985). P. 409
- N.F. Mott. Phil. Mag. 22, 175, 7 (1970)
- И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. Изд-во МГУ, М. (1984). 192 с
- И.П. Звягин, М.А. Ормонт. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3: Физ., Астрон. 16, 4, 44 (2008). [I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Moscow Univ. Phys. Bull. 63, 4, 272 (2008)]
- М.А. Ормонт, И.П. Звягин. ФТП 54, 1, 36 (2020). [M.A. Ormont, I.P. Zvyagin. Semicond. 54, 1, 33 (2020).]
- М.А. Ормонт. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3: Физика, астрономия 19, 2, 57 (2011). [M.A. Ormont. Moscow Univ. Phys. Bull. 66, 2, 162 (2011).]
- I.G. Austin, N.F. Mott. Adv. Phys. 18, 71, 41 (1969)
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б.-М. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. Наука, М. (1981)
- М.А. Ормонт, И.П. Звягин. ФТТ 60, 5, 880 (2018). [M.A. Ormont, I.P. Zvyagin. Phys. Solid State 60, 5, 882 (2018).]
- M. Pollak. Phys. Rev. 138, 6A, A1822 (1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.