В частотном диапазоне 10^-2-10⁸ Hz при температуре 300 K исследованы диэлектрические спектры нелегированных и легированных Ni, Mn, Co, Cu, Fe, Mo высокоомных (rho>10¹⁰ Ohm · m) кристаллов силленитов (Bi₁₂SiO₂₀). Показано, что обнаруженные особенности спектров обусловлены откликом массива свободных электронов, темновая концентрация которых определяется наличием примесей донорного или акцепторного типа. Приведены результаты расчета диэлектрических спектров в рамках теории Дебая, а также в рамках усложненной теории с применением функции G(tau) распределения чисел релаксаторов по временам их релаксации. Оценены времена релаксации отклика на воздействие зондирующего электрического поля и показано, что они определяются временами максвелловской релаксации для электронов. Определены параметры функции G(tau). Показано, что существенная вариация времен релаксации для различных примесей обусловлена, помимо различия концентраций электронов, зависимостью дрейфовой подвижности электронов от параметров ловушек, в присутствии которых происходит перенос заряда. Ключевые слова: диэлектрические спектры, тангенс угла диэлектрических потерь, распределение Дебая, перенос заряда, кристаллы силленитов, максвелловское время релаксации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.