Слой GaN n-типа, легированный оловом был выращен методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии (HVPE). Легирование оловом осуществлялось путем химической реакции с образованием SnCl₂ и его последующим распадом в присутствии NH₃. Показано, что легирование оловом приводит к исчезновению трещин и уменьшению шероховатости GaN. Исследованы оптические свойства GaN, легированного оловом. Показано, что в рамановском спектре GaN : Sn появляется толстая зона линий в области от 620 до 740 cm^-1, связанная с колебаниями связей Sn-N. Электроны проводимости, возникающие при легировании GaN оловом, поглощают свет в области 2.2-3.3 eV. Методом функционала плотности показано, что атомы Sn сильно взаимодействуют друг с другом в кристалле GaN анизотропным образом, определяя локальную группу симметрии легированного кристалла. Ключевые слова: нитрид галлия, метод функционала плотности, хлорид-гидридная эпитаксия, ионный радиус, рамановский спектр.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.