Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности поведения температурной зависимости высокочастотной проводимости неупорядоченных полупроводников в терагерцовой области частот
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
Email: ormont.73@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 18 ноября 2024 г.
Принята к печати: 19 ноября 2024 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2025 г.
Проведен анализ особенностей электронного прыжкового транспорта по примесной зоне неупорядоченного полупроводника (с водородоподобными примесями), связанных с поведением температурной зависимости высокочастотной проводимости в области низких температур. На основе парного приближения выполнен численный расчет температурной зависимости вещественной части высокочастотной проводимости неупорядоченного полупроводника в терагерцовой области частот, в которой в условиях низких температур с ростом частоты наблюдался переход от почти линейной к квадратичной частотной зависимости вещественной части проводимости. Показано, что учет кулоновского взаимодействия между электронами в парах обусловливает немонотонный выход на насыщение температурной зависимости высокочастотной проводимости с понижением температуры вследствие разнонаправленности изменений релаксационного и резонансного вкладов в проводимость с изменением температуры. Увеличение бесфононной проводимости с понижением температуры обусловливается главной ролью кулоновского взаимодействия между электронами в резонансных парах при низких температурах, e^2/krω>hω (rω - оптимальная длина прыжка на частоте ω). Ключевые слова: высокочастотная прыжковая проводимость, отклонения от универсальности частотной зависимости проводимости, неупорядоченные полупроводники.
- Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТТ 47, 7, 1195 (2005)
- N.F. Mott. Phil. Mag. 22, 7 (1970)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ 81, 1, 406 (1981). [B.I. Shklovskii, A.L. Efros. JETP 54, 1, 218 (1981).]
- I.G. Austin, N.F. Mott. Adv. Phys. 18, 71, 41 (1969)
- A.L. Efros. Phil. Mag. B 43, 5, 829 (1981)
- A.L. Efros, B.I. Shklovskii. In: Electron-Electron Interactions in Disordered Systems / Eds A.L. Efros, M. Pollak. North Holland, Elsevier Science Publishers B.V., Amsterdam (1985). P. 409
- I.P. Zvyagin. In: Charge Transport in Disordered Solids with Applications in Electronics / Ed. S. Baranovski. John Wiley \& Sons, Chichester (2006). Ch. 9. P. 339
- E. Helgren, N.P. Armitage, G. Gruner. Phys. Rev. B 69, 014201 (2004). E. Helgren, N.P. Armitage, G. Gruner. Phys. Rev. Lett. 89, 246601 (2002)
- M. Hering, M. Scheffler, M. Dressel, H.V. Lohneysen. Phys. Rev. B 75, 205203 (2007)
- E. Ritz, M. Dressel. Phys. Stat. Sol. ( c), 5, 703 (2008)
- M. Lee, M.L. Stutzmann. Phys. Rev. Lett. 87, 056402 (2001)
- М.А. Ормонт, И.П. Звягин. ФТП 52, 2, 161 (2018). [M.A. Ormont, I.P. Zvyagin. Semicond. 52, 2, 150 (2018).] И.П. Звягин, М.А. Ормонт. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3: Физ., Астрон. 16, 4, 44 (2008). [I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Moscow Univ. Phys. Bull. 63, 4, 272 (2008).]
- М.А. Ормонт, И.П. Звягин. ФТП 54, 1, 36 (2020). [M.A. Ormont, I.P. Zvyagin. Semicond. 54, 1, 33 (2020).]
- М.А. Ормонт, Н.В. Валенко. ФТТ 65, 7, 1244 (2023). [M.A. Ormont, N.V. Valenko. Phys. Solid State 65, 7, 1192 (2023).]
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б.-М. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. Наука, М. (1981)
- М.А. Ормонт. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3, Физ., Астрон. 19, 2, 57 (2011). [M.A. Ormont. Moscow Univ. Phys. Bull. 66, 2, 162 (2011).]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
