Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: max.ruzhevich@niuitmo.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 17 ноября 2024 г.
Принята к печати: 18 ноября 2024 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2025 г.
Приведены результаты изучения структурных и оптических свойств пленок Hg1-xCdxTe с большим (x=0.5-0.7) содержанием CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и подвергнутых термическому отжигу при температурах от 330 до 440 oC. Влияние отжига на кристаллическую структуру и точечные дефекты определено по данным исследований оптического пропускания, фотолюминесценции, рентгеновской дифракции и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Показано, что дефектная структура материала после отжига претерпевает существенные изменения, в то время как его кристаллическое совершенство меняется незначительно. Ключевые слова: HgCdTe, отжиг, фотолюминесценция, дефекты, структурные свойства.
- T. Le Goff, T. Pichon, N. Baier, O. Gravrand, O. Boulade. J. Electron. Mater. 51, 10, 5586 (2022)
- V.V. Rumyantsev, K.A. Mazhukina, V.V. Utochkin, K.E. Kudryavtsev, A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, A.A. Razova, D.I. Kuritsin, M.A. Fadeev, A.V. Antonov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko, F. Teppe, S.V. Morozov. Appl. Phys. Lett. 124, 16, 161111 (2024)
- M. Vallone, M. Alasio, A. Tibaldi, F. Bertazzi, S. Hanna, A. Wegmann, D. Eich, H. Figgemeier, G. Ghione, M. Goano. IEEE Photon. J. 16, 1, 6800208 (2024)
- А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. Оптический журнал 91, 2, 6 (2024)
- G.A. Umana-Membreno, H. Kala, S. Bainsy, N.D. Akhavan, J. Antoszewski, C.D. Maxey, L. Faraone. J. Electron. Mater. 45, 9, 4686 (2016)
- K. Majkowycz, K. Murawski, M. Kopytko, Infr. Phys. Technol. 137, 105126 (2024)
- D. Shaw, P. Capper. In: Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties, and Applications / eds. P. Capper, J. Garland. John Wiley \& Sons Ltd., Chichester (2010). P. 297
- В.А. Швец, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, С.А. Дворецкий. Оптика и спектроскопия 127, 8, 318 (2019)
- F.-Y. Yue, S.-Y. Ma, J. Hong, P.-X. Yang, C.-B. Jing, Y. Chen, J.-H. Chu. Chin. Phys. B 28, 1, 017104 (2019)
- М.С. Ружевич, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Дорогов, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, И.Н. Ужаков, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев. Оптический журнал 91, 2, 23 (2024)
- М.С. Ружевич, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Дорогов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков. ФТТ 65, 3, 411 (2023)
- К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.М. Смирнов, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев. ФТП 54, 12, 1302 (2020)
- D. Drouin, A.R. Couture, D. Joly, X. Tastet, V. Almez, R. Gauvin. Scanning 29, 3, 92 (2007)
- M.S. Ruzhevich, K.D. Mynbaev. Rev. Adv. Mater. Technol. 2, 4, 47 (2020); 4, 4, 17 (2022)
- J. Sobieski, M. Kopytko, K. Matuszelanski, W. Gawron, J. Piotrowski, P. Martyniuk. Sensors 24, 2837 (2024)
- М.А. Фадеев, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин, В.В. Румянцев, В.В. Уточкин, В.И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.В. Морозов. Квантовая электроника 49, 6, 556 (2019)
