Вышедшие номера
Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs раз-личной ширины
Философов Н.Г.1, Агекян В.Ф.1, Вербин С.Ю.1, Резницкий А.Н.2, Серов А.Ю.1, Штром И.В.1,3,4, Илькив И.В.3,4, Резник Р.Р.1, Цырлин Г.Э.1,3,4
1СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3СНИАУ им. Ж.И. Алфёрова РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ИАП РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: n.filosofov@spbu.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 28 ноября 2024 г.
Принята к печати: 3 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2025 г.

Исследована температурная зависимость люминесценции гетероструктуры, которая содержит три квантовые ямы (КЯ) GaAs толщиной 9.6, 4.8, и 2.4 nm, отделенные друг от друга барьерами Ga0.6Al0.4As толщиной 14 nm. Установлено, что при температурах выше 140 K имеет место перенос возбуждения из КЯ толщиной 2.4 nm в КЯ толщиной 4.8 nm. На основе модели, примененной ранее для описания переноса возбуждения в гетероструктурах типа II-VI, получены параметры, удовлетворительно описывающие наблюдаемый взаимодействие между этими КЯ, высказаны соображения относительно возможных механизмов переноса. Ключевые слова: квантовые ямы III = V, люминесценция, перенос энергии
  1. A. Tomita, J. Shah, R.S. Knox. Phys. Rev. B 53, 10793 (1996)
  2. D. Guzun, Yu.I. Mazur, V.G. Dorogan, M.E. Ware, E. Marega, Jr., G.G. Tarasov, C. Lienau, G.J. Salamo. J. Appl. Phys. 113, 154304 (2013)
  3. J.A. Lorenzo-Andrade, F. Sutara, I. Hernandez-Calderon. Superlattices and Microstructures, 87, 47 (2015)
  4. В.Я. Алешкин, Л.В. Гавриленко, Д.М. Гапонова, З.Ф. Красильник, Д.И. Крыжков, Д.И. Курицын, С.М. Сергеев, В.Г. Лысенко. Письма в ЖЭТФ 94, 890 (2011)
  5. S.K. Lyo. Phys. Rev. B 62, 13641 (2000)
  6. A.N. Poddubny, A.V. Rodina. ЖЭТФ 149, 614 (2016)
  7. Yu.I. Mazur, V.G. Dorogan, E. Marega, Jr., M. Benamara, Z.Ya. Zhuchenko, G.G. Tarasov, C. Lienau, G.J. Salamo. Appl. Phys. Lett. 98, 083118 (2011)
  8. A.N. Reznitsky, A.A. Klochikhin, M.V. Eremenko. Semiconductors 48, 332 (2014)
  9. Н.Г. Философов, Г.В. Будкин, В.Ф. Агекян, G. Karczewski, А.Ю. Серов, С.Ю. Вербин, И.В. Штром, А.Н. Резницкий. ФТП, 57, 555 (2023)
  10. А.Н. Резницкий, А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров. ФТТ 54, 9 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.