Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2025, выпуск 1 » Статья стр. 189
<<<>>>
Одномерные углеродные структуры, сформированные на оксидах переходных металлов
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergei_davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2024 г.
В окончательной редакции: 16 декабря 2024 г.
Принята к печати: 17 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2025 г.
PDF версия
Рассмотрен эпитаксиальный кумулен - углеродная цепочка, сформированная в бороздке грани оксида переходного металла (transition metal oxide, TMO). Предложена простая модель плотности состояний TMO. Построена модель одномерного аналога оксида графена (1DGO), представляющая собой декорированный кумулен, каждый второй атом которого связан с атомом кислорода (C2O). Показано, что декорирование приводит к открытию щели в электронном спектре. Приведены оценки влияния TMO-подложки (TiO2) на спектральные характеристики, эффективные массы и плотности состояний кумулена и 1DGO. Ключевые слова: кумулен, оксид графена, электронный спектр.
  1. J. Nevalaita, P. Koskinen. Phys. Rev. B 97, 3, 035411 (2018)
  2. S. Haastrup, M. Strange, M. Pandey, T. Deilmann, P.S. Schmidt, N.F. Hinsche, M.N. Gjerding, D. Torelli, P.M. Larsen, A.C. Riis-Jensen, J. Gath, K.W. Jacobsen, J.J. Mortensen, T. Olsen, K.S. Thygesen. 2D Mater. 5, 4, 042002 (2018)
  3. N. Briggs, S. Subramanian, Z. Lin, X. Li, X. Zhang, K. Zhang, K. Xiao, D. Geohegan, R. Wallace, L.-Q. Chen, M. Terrones, A. Ebrahimi, S. Das, J. Redwing, C. Hinkle, K. Momeni, A. van Duin, V. Crespi, S. Kar, J.A. Robinson. 2D Mater. 6, 2, 022001 (2019)
  4. L. Vannucci, U. Petralanda, A. Rasmussen, T. Olsen, K.S. Thygesen. J. Appl. Phys. 128, 10, 105101 (2020)
  5. M. Fukuda, J. Zhang, Y.-T. Lee, T. Ozakia. Mater. Adv. 2, 13, 4392 (2021)
  6. С.Ю. Давыдов. ФТП 53, 7, 971 (2019). [S.Yu. Davydov. Semiconductors 53, 7, 954 (2019).]
  7. С.Ю. Давыдов. Письма в ЖТФ 45, 13, 14 (2019). [S.Yu. Davydov. Tech. Phys. Lett. 45, 650 (2019).]
  8. С.Ю. Давыдов. ФТТ 66, 5, 723 (2024). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State 66, 5, 701 (2024)].]
  9. V.E. Henrich, P.A. Cox. The Surface Science of Metal Oxides. Cambridge Univ. Press (1994)
  10. H.-J. Freund, H. Kuhlenbeck, V. Staemmler. Rep. Prog. Phys. 59, 3, 283 (1996)
  11. R. Gillen, J. Robertson. J. Phys.: Condens. Matter 25, 16, 165502 (2013)
  12. S. Lany. Phys. Rev. 87, 8, 085112 (2013)
  13. S. Lany. J. Phys.: Condens. Matter 27, 28, 283203 (2015)
  14. Y. Guo, L. Ma, K. Mao, M. Ju, Y. Bai, J. Zhao, X.C. Zeng. Nanoscale Horizons 4, 3, 592 (2019). https://doi.org/10.1039/c8nh00273h
  15. W. Li, J. Shi, K.H.L. Zhang, J.L. MacManus-Driscoll. Material Horizons 7, 11, 2832 (2020). https://doi.org/10.1039/D0MH00899K
  16. C. Rdl, F. Fuchs, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B 79, 23, 235114 (2009)
  17. E. Engel, R.N. Schmid. Phys. Rev. Lett. 103, 3, 036404 (2009)
  18. С.Ю. Давыдов. ФТТ 58, 4, 779 (2016). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State 58, 4, 804 (2016).]
  19. F.D.M. Haldane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B 13, 6, 2553 (1976)
  20. С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ 49, 8, 1508 (2007). [S.Yu. Davydov, S.V. Troshin. Phys. Solid State 49, 8, 1583 (2007).]
  21. С.Ю. Давыдов. ФТТ 62, 2, 326 (2020). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State 62, 2, 378 (2020).]
  22. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1982). [W.A. Harrison. Electronic Structure and the Properties of Solids. W.H. Freeman \& Co., San Francisco (1980).]
  23. W.A. Harrison. Phys. Rev. B 27, 6, 3592 (1983)
  24. W.A. Harrison, G.K. Straub. Phys. Rev. B 36, 5, 2695 (1987)
  25. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991)
  26. K.A. Mkhoyan, A.W. Contryman, J. Silcox, D.A. Stewart, G. Eda, C. Mattevi, S. Miller, M. Chhowalla. Nano Lett. 9, 3, 1058 (2009)
  27. A.T. Smith, A.M. LaChance, S. Zeng, B. Liu, L. Sun. Nano Mater. Sci. 1, 1, 31 (2019)
  28. P.P. Brisebois, M. Siaj. J. Mater. Chem. C 8, 5, 1517 (2020)
  29. K.Z. Donato, H.L. Tan, V.S. Marangoni, M.V.S. Martins, P.R. Ng, M.C.F. Costa, P. Jain, S.J. Lee, G.K.W. Koon, R.K. Donato, A.H. Castro Neto. Sci. Rep. 13, 1, 6064 (2023)
  30. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, R.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys. 81, 1, 109 (2009)
  31. T.O. Wehling, E. Sastoglu, C. Friedrich, A.I. Lichtenstein, M.I. Katsnelson, S. Blugel. Phys. Rev. Lett. 106, 23, 236805 (2011)
  32. T. Susaki, A. Makishima, H. Hosono. Phys. Rev. B 84, 11, 115456 (2011)
  33. Z. Zhong, P. Hansmann. Phys. Rev. B 93, 23, 235116 (2016)
  34. K. Cieslik, D. Wrana, M. Rogala, C. Rodenbucher, K. Szot, F. Krok. Crystals 13, 7, 1052 (2023)
  35. M.I. Dar, A.K. Chandiran, M. Gratzel, M.K. Nazeeruddin, S.A. Shivashankar. J. Mater. Chem. A 2, 6, 1662 (2014)
  36. Y.E. Tasisa, T.K. Sarma, R. Krishnaraj, S. Sarma. Res. Chem. 11, 101850 (2024)
  37. D. Niesner, T. Fauster. J. Phys.: Condens. Matter 26, 39, 393001 (2014)
  38. Y.-J. Yu, Y. Zhao, S. Ryu, L.E. Brus, K.S. Kim, P. Kim. Nano Lett. 9, 10, 3430 (2009)
  39. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников. Мир, М. (1990). [F. Bechstedt, R. Enderlein. Semiconductor Surfaces and Interfaces. De Gruyter (1989).]
  40. С.Ю. Давыдов. ФТТ 58, 6, 1182 (2016). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State 58, 6, 1222 (2016).]
  41. J. Robertson. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 28, 3, 265 (2004)
  42. G.M. Rignanese. J. Phys.: Condens. Matter 17, 7, R357 (2005)
  43. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials. Wiley, N.Y. (2001)
  44. R. Bessler, U. Duerigb, E. Koren. Nanoscale Adv. 1, 5, 1702 (2019)
  45. X. Huang, T. Leng, T. Georgiou, J. Abraham, R.R. Nair, K.S. Novoselov, Z. Hu. Sci. Rep. 8, 1, 43 (2018)
  46. E. Prokhorov, Z. Barquera-Bibiano, A. Manzano-Rami rez, G. Luna-Barcenas, Y. Kovalenko, M.A. Hernandez-Landaverde, B.E.C. Reyes, J.H. Vargas. Mater. Res. Express 6, 8, 085622 (2019)
  47. K. Yim, Y. Yong, J. Lee, K. Lee, H.-H. Nahm, J. Yoo, C. Lee, C.S. Hwang, S. Han. NPG Asia Materials 7, 6, e190 (2015)
  48. C. Verdi, F. Caruso, F. Giustino. Nature Commun. 8, 1, 15769 (2017)
  49. T.J. Smart, T.A. Pham, Y. Ping, T. Ogitsu. Phys. Rev. Mater. 3, 10, 102401(R) (2019)
  50. L. Zhang, W. Chu, C. Zhao, Q. Zheng, O.V. Prezhdo, J. Zhao. J. Phys. Chem. Lett. 12, 9, 2191 (2021)
  51. С.Ю. Давыдов. ФТП 52, 2, 238 (2018). [S.Yu. Davydov. Semiconductors 52, 2, 226 (2018)]
  52. С.Ю. Давыдов. ФТП 52, 3, 353 (2018). [S.Yu. Davydov. Semiconductors 52, 3, 335 (2018)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme