Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние точечных дефектов на фазовые переходы в сегнетоэлектрических нанокристаллах
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия 
Email: kafedra@vmfmm.vorstu.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
Получены зависимости температуры фазового перехода сегнетоэлектрических нанокристаллов в матрице диэлектрика от концентрации в них точечных заряженных дефектов. Исследовано влияние точечных дефектов на нелинейные характеристики сегнетоэлектрических нанокристаллов в зависимости от величины и направления внешнего электрического поля при точном учете деполяризующих электрических полей и нелокальных эффектов.
- А.П. Леванюк, В.В. Осипов, А.Г. Сигов, А.А. Собянин. ЖЭТФ 76, 345 (1976)
- Б.М. Даринский, В.Н. Нечаев, В.Н. Федосов. ФТТ 22, 3129 (1980)
- В.Н. Нечаев, А.В. Шуба, А.В. Висковатых. Изв. РАН. Сер. физ. 74, 1273 (2010)
- В.Н. Нечаев, А.В. Висковатых. Материалы VII Междунар. семинара. "Физико-математическое моделирование систем". ВГТУ, Воронеж (2011). Ч. 3. С. 15
- Н.М Саланский, М.Ш. Ерухимов. Физические свойства и применение магнитных пленок. Наука, Новосибирск (1975). 222 с
- Р. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965). 556 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
