Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Экситонные спектры и электропроводность эпитаксиальных слоев GaN, легированных кремнием

Агекян В.Ф.¹, Воробьев Л.Е.², Мелентьев Г.А.², Nykanen Н.³, Серов А.Ю.¹, Suihkonen S.³, Философов Н.Г.¹, Шалыгин В.А.²

¹Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия Fock Institute of Physics, St.Petersburg State University, Petergof, Russia

Fock Institute of Physics, St.Petersburg State University, Petergof, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Aalto University, School of Electrical Engineering, Espoo, Finland

Email: vfag@rambler.ru

Поступила в редакцию: 5 июля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы оптические спектры и электропроводность легированных кремнием эпитаксиальных слоев нитрида галлия с концентрациями нескомпенсированных доноров N_D-N_A до 4.8· 10¹⁹ cm^-3 при T~ 5 K. Вольт-амперные характеристики показывают, что при уровне легирования ~3· 10¹⁸ cm^-3 происходит образование примесной зоны, а увеличение концентрации доноров еще на порядок приводит к слиянию примесной зоны с зоной проводимости. Трансформация экситонных спектров отражения свидетельствует о том, что образование примесной зоны приводит к эффективному экранированию экситонов при низких температурах. В образце с N_D-N_A=3.4· 10¹⁸ cm^-3 спектры люминесценции еще формируются излучением свободных и связанных экситонов. В образце с N_D-N_A=4.8· 10¹⁹ cm^-3 кулоновское взаимодействие уже полностью подавлено, и спектр люминесценции состоит из полос, соответствующих излучательным переходам примесная зона-валентная зона и зона проводимости-валентная зона.

D.C. Reynolds, D.C. Look, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoc, D.N. Talvar. J. Appl. Phys. 80, 594 (1996)
M. Reshchikov, H. Morkoc. J. Appl. Phys. 97, 061 031 (2005)
M. Zhang, T.F. Zhou, Y.M. Zhang, B. Li, S.N. Zheng, J. Huang, Y.M. Sun, G.Q. Ren, J.F. Wang, F. Hu, H. Yang. Appl. Phys. Lett. 100, 041 904 (2012)
Y. Takagi, T. Suwa, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara. Appl. Phys. Lett. 99, 171 905 (2011)
V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, G.A. Melentyev, A.V. Antonov, V.I. Gavrilenko, A.V. Andrianov, A.O. Zakharyin, S. Suihkonen, P.T. Torma, M. Ali, H. Lipsanen. Appl. Phys. Lett. 106, 123 523 (2009)
S. Farvid, M. Hegde, I.D. Hosein, P.V. Radovanovich. Appl. Phys. Lett. 99, 222 504 (2011)
M.A. Reshchikov, A.G. Willyard, A. Behrends, A. Bakin, A. Waag. Appl. Phys. Lett. 99, 171 110 (2011)
H. Nykanen, S. Suihkonen, M. Sopanen, F. Tuomisto. Appl. Phys. Lett. 100, 122 105 (2012)
S. Fritze, A. Dadgar, H. Witte, M. Bugler, A. Rohrbeck, J. Blasing, A. Hoffmann, A. Krost. Appl. Phys. Lett. 100, 122 104 (2012)
K. Kornitzer, T.A. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski. Phys. Rev. B 60, 1471 (1999)
P. Stepniewski, K.P. Korona, A. Wysmolek, J.M. Baranowski, K. Pakula, M. Potemski, G. Martinez, I. Grzegory, S. Porowski. Phys. Rev. B 56, 15 151 (1997)
T.V. Shubina, A.A. Toropov, G. Pozina, J.P. Bergman, M.M. Glazov, N.A. Gippius, P. Disseix, J. Leymarie, B. Gil, B. Monemar. Appl. Phys. Lett. 99, 101 108 (2011)
T. Ishiguro, Y. Toda, S. Adachi. Appl. Phys. Lett. 90, 011 904 (2007)
М.Г. Ткачман, Т.В. Шубина, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Т. Паскова, Б. Монемар. ФТП 37, 552 (2003)
V.G. Dubrovski, V. Consonni, L. Geelhaar, A. Trampert, H. Riechert. Appl. Phys. Lett. 100, 153 101 (2012)
A.S. Barker, M. Ilegems. Phys. Rev. B 7, 743 (1973)
V. Bougrov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A. Zubrilov. In Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 2001, p. 1
N.F. Mott, W.D. Twose. Adv. Phys. 10, 107 (1961). [Опубликован перевод: Мотт Н.Ф., Туз Н.Д. УФН 79, 691 (1963).]
А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН 133, 427 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель