Вышедшие номера
Влияние предварительного окислительного отжига на свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом, активированным Er и Yb
Демидов Е.С.1,2, Карзанова М.В.1,2, Чигиринский Ю.И.2, Шушунов А.Н.2, Антонов И.Н.2, Сидоренко К.В.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: demidov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Изучено влияние предварительного окислительного отжига пористого кремния (ПК) на фотолюминесценцию (ФЛ) при лазерной накачке на длинах волн 532 и 980 nm, ЭПР и поперечный транспорт тока структур на основе ПК с вплавленным вольфрам-теллуритным стеклом (ВТС), легированным Er и Yb. Показано, что такой отжиг и наличие нанокристаллов кремния (nc-Si) в ПК способствуют многократному усилению ФЛ как ионов Er в ВТС, так и nc-Si в ПК на длинах волн 750 и 1540 nm соответственно. При вплавлении ВТС в ПК подавляются Pb-центры безызлучательной рекомбинации, сохраняется дискретное туннелирование электронов сквозь nc-Si-гранулы в ПК. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ 08-02-97044р и в рамках АВЦП "Развитие научного потенциала высшей школы", ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 гг.