Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронный парамагнитный резонанс в нейтронно-легированных полупроводниках с измененным изотопным составом

Баранов П.Г.¹, Ионов А.Н.¹, Ильин И.В.¹, Копьев П.С.¹, Мохов Е.Н.¹, Храмцов В.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Pavel.Baranov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 21 октября 2002 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

PDF версия

Рассмотрены возможности метода ЭПР при исследовании и контроле процесса нейтронного трансмутационного легирования (НТЛ) полупроводниковых материалов германия, кремния и карбида кремния. Показано, что метод ЭПР позволяет непосредственно контролировать процессы отжига радиационных дефектов в полупроводниковых материалах, подвергнутых нейтронному облучению, и следить за восстановлением сигналов ЭПР мелких доноров в процессе отжига дефектов, компенсирующих доноры. Метод ЭПР может быть использован для раздельной регистрации изолированных доноров и обменно-связанных пар, троек и больших кластеров донорных атомов, а следовательно, и для выявления степени однородности распределения примеси в кристалле. Показано, что нейтронное легирование приводит к достаточно однородному распределению доноров мышьяка в кристалле германия. Обоснована необходимость использования обогащенных выделенными изотопами полупроводниковых материалов для НТЛ. Представлены результаты исследования доноров фосфора в карбиде кремния. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты N 00-02-16950, 00-02-16992 и 02-02-176052), а также МНТЦ (проект N 1354).

J.W. Cleland, K. Lakr-Horovitz, J.C. Pigg. Phys. Rev. 78, 6, 814 (1950)
H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev. 119, 4, 1238 (1960)
Neutron Transmutation Doping in Semiconductors / Ed. J.M. Meese. Plenum, N. Y. (1979)
A.A. Berezin. J. Phys. Chem. Sol. 50, 5 (1989)
E.E. Haller. Solid State Phenomena. Scitec Publications, Switzerland (1993). V. 32--33. P. 11--20
I. Shlimak, A.N. Ionov, R. Rentzsch, J.M. Lazebnik. Semicond. Sci. Technol. 11, 1826 (1996)
E.V. Haas, M.S. Schnoller. IEEE Trans. Electron Devices ED-23, 803 (1976)
Table of Isotopes / Ed. C.M. Lederer, V.S. Shirley. 7th ed. John Wiley \& Sons, Inc., N. Y. (1978)
А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ 28, 6, 1659 (1986)
Е.Н. Калабухова, С.Н. Лукин, Е.Н. Мохов. ФТТ 35, 3, 703 (1993)
H. Heissenstein, C. Peppermueller, R. Helbig. J. Appl. Phys. 83, 12, 7542 (1998)
M.A. Capano, J.A. Cooper, Jr., M.R. Melloch, A. Saxler, W.C. Mitchel. J. Appl. Phys. 87, 12, 8773 (2000)
W. Kohn, J.M. Luttinger. Phys. Rev. 98, 4, 915 (1955)
G.D. Watkins. In: Point Defects in Solids. V. 2 / Ed. J.H. Crowford, L.M. Slifkin. Plenum Press, N. Y.-London (1975). P. 333--392; G.D. Watkins. In: Deep Centers in Semiconductors / Ed. S.T. Pantelides. Gordon and Breach, N. Y. (1986). P. 147--183
G. Feher. Phys. Rev. 114, 5, 1219 (1959)
D.K. Wilson. Phys. Rev. 134, 1, A265 (1964)
H.H. Woodbury, G.W. Ludwig. Phys. Rev. 124, 4, 1083 (1961)
J.L. Ivey, R.L. Mieher. Phys. Rev. B 11, 2, 849 (1975)
A. v. Duijn-Arnold, R. Zondervan, J. Schmidt, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Phys. Rev. B 64, 085 206 (2001)
F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, A. Hofstaetter, D.M. Hofmann, B.K. Meyer. Physica B 308--310, 908 (2001)
V.S. Weiner. Mater. Sci. Forum 83--87, 297 (1992)
R.C. Fletcher, W.A. Yager, G.L. Pearson, F.R. Merritt. Phys. Rev. 95, 3, 844 (1954)
G. Feher, R.C. Fletcher, E.A. Gere. Phys. Rev. 100, 6, 1784 (1955)
C.P. Slichter. Phys. Rev. 99, 2, 479 (1955)
D. Jerome, J.M. Winter. Phys. Rev. 134, 4, A1001 (1964)
Б.Г. Журкин, Н.А. Пенин. ФТТ 6, 4, 1141 (1964)
А.И. Вейнгер. ФТП 1, 1, 20 (1967)
И.М. Зарицкий, Л.А. Шульман, И.Н. Гейфман. ФТТ 11, 1, 30 (1969)
C.F. Young, K. Xie, E.H. Poindexter, G.J. Gerardi, D.J. Keeble. Appl. Phys. Lett. 70, 14, 1858 (1997)
В.Г. Грачев. ЖЭТФ 92, 5, 1834 (1987)
E. Sonder, H.C. Schweinler. Phys. Rev. 117, 5, 1216 (1960)
S. Greulich-Weber. Phys. Stat. Sol. (a) 162, 1, 95 (1997)
P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin. Phys. Rev. B 66, 165 206 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель