Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 2244
<<<>>>
Влияние энергии ионной стимуляции на удельное электросопротивление углеродных пленок, полученных методом импульсно-плазменного осаждения в атмосфере азота
DOI: 10.21883/FTT.2019.11.48436.435
Переводная версия: 10.1134/S1063783419110428
Завидовский И.А.1, Стрелецкий O.A.1, Нищак О.Ю.1, Хайдаров A.A.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: ilyazavid@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Исследованы тонкие углеродные пленки, полученные методом импульсно-плазменного ионно-стимулированного распыления графита в атмосфере смеси аргона и азота. Результаты спектроскопии характеристических потерь энергии электронов и электронной дифракции свидетельствуют о росте графитовой составляющей при увеличении энергии ионной стимуляции. Применение ионной стимуляции в процессе напыления пленок позволяет управлять их удельным сопротивлением, изменяя его от 105 до 102 Omega·cm. Ключевые слова: ионно-плазменное осаждение, тонкие пленки, аморфный углерод, просвечивающая электронная микроскопия, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов, удельное сопротивление.
  1. D. He, S. Zheng, J. Pu, G. Zhang, L. Hu. Tribology Int. 82, 20 (2015). DOI: 10.1016/j.triboint.2014.09.017
  2. R. Rincon, A. Hendaoui, J. de Matos, M. Chaker. J. Appl. Phys. 119 22, 223303 (2016). DOI: 10.1063/1.4953684
  3. T.T. Liao, T.F. Zhang, S.S. Li, Q.Y. Deng, B.J. Wu, Y.Z. Zhang, Y.J. Zhou, Y.B. Guo, Y.X. Leng, N. Huang. Mater. Sci. Eng. C. 69, 75 (2016). DOI: 10.1016/j.msec.2016.07.064
  4. R. Paul, S.N. Das, S. Dalui, R.N. Gayen, R.K. Roy, R. Bhar, A.K. Pal. J. Phys. D 41 5, 055309 (2008). DOI: 10.1088/0022-3727/41/5/055309
  5. A. Varma, V. Palshin, E.I. Meletis. Surface Coatings Technology 148 2-3, 305 (2001). DOI: 10.1016/s0257-8972(01)01350-0
  6. A. Hu, I. Alkhesho, H. Zhou, W.W. Duley. Diamond Related Mater. 16 1, 149 (2007). DOI: 10.1016/j.diamond.2006.04.008
  7. A. Grill, V. Patel, S. Cohen. Diamond Related Mater. 3, 281 (1994)
  8. H. Dimigen, H. Hubsch, R. Memming. Appl. Phys. Lett. 50, 1056 (1987)
  9. M. Wang, K. Schmidt, K. Reichelt. J. Mater. Res. 7, 6 (1992)
  10. C. Bauer, H. Leiste, M. Stuber, S. Ulrich, H. Holleck. Diamond Related Mater. 11 3-6, 1139 (2018). DOI: 10.1016/s0925-9635(01)00714-2
  11. C.P. Klages, R. Memming. Mater. Sci. Forum 52-53, 609 (1989)
  12. S. Liza, J. Hieda, H. Akasaka, Ohtake, N., Tsutsumi, Y., Nagai, A., T. Hanawa. Sci. Technology Adv. Mater. 18 1, 76 (2017). DOI: 10.1080/14686996.2016.1262196
  13. R. Dey, S. Dolai, S. Hussain, R. Bhar, A.K. Pal. Diamond and Related Materials, 82, 70 (2018). DOI: 10.1016/j.diamond.2018.01.002
  14. J. Lanigan, H.M. Freeman, C. Wang, M.B. Ward, A. Morina, A. Neville, R. Brydson. RSC Adv. 7 69, 43600 (2017). DOI: 10.1039/c7ra08959g
  15. L. Perini, C. Durante, M. Favaro, V. Perazzolo, S. Agnoli, O. Schneider, G. Granozzi, A. Gennaro. ACS Appl. Mater. Interfaces 7 2, 1170 (2015). DOI: 10.1021/am506916y
  16. W. Zhang, Y. Xia, J. Ju, L. Wang, Z. Fang, M. Zhang. Solid State Commun. 126 3, 163 (2003). DOI: 10.1016/s0038-1098(02)00673-7
  17. B.S. Satyanarayana, A. Hart, W.I. Milne, J. Robertson. Diamond Related Mater. 7 2-5, 656 (1998). DOI: 10.1016/s0925-9635(97)00296-3
  18. J. Liu, H. Wang, M. Antonietti. Chem. Soc. Rev. 45, 2308 (2016)
  19. L. Jia, H. Wang, D. Dhawale, C. Anand, M.A. Wahab, Q. Ji, K. Arigab, A. Vinuab. Chem. Commun. 50 45, 5976 (2014). DOI: 10.1039/c4cc02042a
  20. E. Cutiongco, D. Li, Y. Chung. J. Tribology 118, 543 (1996)
  21. L.K. Cheah, X. Shi, J.R. Shi, E.J. Liu, S.R.P. Silva. J. Non-Cryst. Solids 242 1, 40 (1998). DOI: 10.1016/s0022-3093(98)00787-x 
  22. A. Stanishevsky. Thin Solid Films, 398-399, 560 (2001). DOI: 10.1016/s0040-6090(01)01318-9
  23. Q. Wang, C. Wang, Z. Wang, J. Zhang, D. He. Appl. Phys. Lett. 91 14, 141902 (2007). DOI: 10.1063/1.2794017
  24. A.A. Voevodin, J.G. Jones, J.S. Zabinski, Z. Czigany, L. Hultman. J. Appl. Phys. 92 9, 4980 (2002). DOI: 10.1063/1.1509106
  25. J. Neidhardt, L. Hultman, Z. Czigany. Carbon. 42, 2729 (2004). DOI: 10.1016/j.carbon.2004.06.011
  26. S. Tougaard. Surf. Sci. 464 2-3, 233 (2000). DOI: 10.1016/s0039-6028(00)00684-1
  27. S. Tougaard. Surf. Sci. 216 3, 343 (1989). DOI: 10.1016/0039-6028(89)90380-4
  28. J. Kulik, G.D. Lempert, E. Grossman, D. Marton, J.W. Rabalais, Y. Lifshitz. Phys. Rev. B 52 22, 15812 (1995). DOI: 10.1103/physrevb.52.15812
  29. A.C. Ferrari, A. Libassi, B.K. Tanner, V. Stolojan, J. Yuan, L.M. Brown, S.E. Rodil, B. Kleinsorge, J. Robertson. Phys. Rev. B 62 16, 11089 (2000). DOI: 10.1103/physrevb.62.11089
  30. D.L. Pappas, K.L. Saenger, J. Bruley, W. Krakow, J.J. Cuomo, T. Gu, R.W. Collins. J. Appl. Phys. 7111, 5675 (1992). DOI: 10.1063/1.350501
  31. D.S. McLachlan, M. Blaszkiewicz, R.E. Newnham. J. Am. Ceram. Soc. 73 8, 2187 (1990). DOI: 10.1111/j.1151-2916.1990.tb07576.x
  32. A.F. Mayadas, M. Shatzkes. Phys. Rev. B 1 4, 1382 (1970). DOI: 10.1103/physrevb.1.1382
  33. R.A. Roy, J.J. Cuomo, D.S. Yee. J. Vac. Sci. Technology A 6 3, 1621 (1988). DOI: 10.1116/1.575339,
  34. J.J. Cuomo, S.M. Rossnagel, H.R. Kaufman. Handbook of Ion Beam Processing Technology: Principles, Deposition, Film Modification and Synthesis. Noyes Publications, Westwood, New Jersey, USA. (1989). 457 p. ISBN 0-8155-1199-X

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme